Name: SIHD6N80E-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIHD6N80E-GE3-ND
Price: 12.8781 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

SIHD6N80E-GE3
Numer produktu DigiKey	SIHD6N80E-GE3-ND
Producent	Vishay Siliconix
Numer produktu producenta	SIHD6N80E-GE3
Opis	MOSFET N-CH 800V 5.4A DPAK
Standardowy czas realizacji przez producenta	25 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 800 V 5,4A (Tc) 78W (Tc) Montaż powierzchniowy TO-252AA
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Vishay Siliconix
Seria	E
Opakowanie	Zbiorcze
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	800 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	5,4A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	940mOhm przy 3A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	4V przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	44 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±30V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	827 pF @ 100 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	78W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 150°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	TO-252AA
Obudowa / skrzynia	TO-252-3, DPAK (2 odpr. + wypust), SC-63
Bazowy numer produktu	SIHD6

Pytania i odpowiedzi dotyczące produktów

Zobacz, o co pytają inżynierowie, zadawaj własne pytania lub pomagaj innym członkom społeczności inżynierów DigiKey

W magazynie: 1 972

Sprawdź dodatkowe produkty wprowadzane do magazynu

Ilość

Wszystkie ceny podano w PLN

Zbiorcze