


SIHB100N60E-GE3 | |
|---|---|
Numer produktu DigiKey | SIHB100N60E-GE3-ND |
Producent | |
Numer produktu producenta | SIHB100N60E-GE3 |
Opis | MOSFET N-CH 600V 30A D2PAK |
Standardowy czas realizacji przez producenta | 24 tygodnie |
Numer referencyjny klienta | |
Szczegółowy opis | Kanał N 600 V 30A (Tc) 208W (Tc) Montaż powierzchniowy TO-263 (D2PAK) |
Arkusz danych | Arkusz danych |
Kategoria | Vgs(th) (maks.) przy Id 5V przy 250µA |
Prod. | Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 50 nC @ 10 V |
Seria | Vgs (maks.) ±30V |
Opakowanie Rurka | Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 1851 pF @ 100 V |
Status części Aktywny | Straty mocy (maks.) 208W (Tc) |
Typ FET | Temperatura robocza -55°C - 150°C (TJ) |
Technologia | Typ mocowania Montaż powierzchniowy |
Napięcie dren-źródło (Vdss) 600 V | Obudowa dostawcy urządzenia TO-263 (D2PAK) |
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C | Obudowa / skrzynia |
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 10V | Bazowy numer produktu |
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 100mOhm przy 13A, 10V |
| Ilość | Cena jednostkowa | Wartość |
|---|---|---|
| 1 | 22,62000 zł | 22,62 zł |
| 50 | 11,92000 zł | 596,00 zł |
| 100 | 10,88770 zł | 1 088,77 zł |
| 500 | 9,08034 zł | 4 540,17 zł |
| 1 000 | 8,50021 zł | 8 500,21 zł |
| 2 000 | 8,17805 zł | 16 356,10 zł |
| Cena jednostkowa bez VAT: | 22,62000 zł |
|---|---|
| Cena jednostkowa z VAT: | 27,82260 zł |









