Odpowiednik parametryczny



SIHB065N60E-GE3 | |
|---|---|
Numer produktu DigiKey | SIHB065N60E-GE3-ND |
Producent | |
Numer produktu producenta | SIHB065N60E-GE3 |
Opis | MOSFET N-CH 600V 40A D2PAK |
Standardowy czas realizacji przez producenta | 24 tygodnie |
Numer referencyjny klienta | |
Szczegółowy opis | Kanał N 600 V 40A (Tc) 250W (Tc) Montaż powierzchniowy TO-263 (D2PAK) |
Arkusz danych | Arkusz danych |
Kategoria | Vgs(th) (maks.) przy Id 5V przy 250µA |
Prod. | Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 74 nC @ 10 V |
Seria | Vgs (maks.) ±30V |
Opakowanie Rurka | Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 2700 pF @ 100 V |
Status części Aktywny | Straty mocy (maks.) 250W (Tc) |
Typ FET | Temperatura robocza -55°C - 150°C (TJ) |
Technologia | Typ mocowania Montaż powierzchniowy |
Napięcie dren-źródło (Vdss) 600 V | Obudowa dostawcy urządzenia TO-263 (D2PAK) |
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C | Obudowa / skrzynia |
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 10V | Bazowy numer produktu |
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 65mOhm przy 16A, 10V |
| Numer katalogowy | Producent | Ilość dostępna | Numer produktu DigiKey | Cena jednostkowa | Rodzaj zamiennika |
|---|---|---|---|---|---|
| SIHB065N60E-T1-GE3 | Vishay Siliconix | 0 | 742-SIHB065N60E-T1-GE3TR-ND | 9,61895 zł | Odpowiednik parametryczny |
| Ilość | Cena jednostkowa | Wartość |
|---|---|---|
| 1 000 | 8,52815 zł | 8 528,15 zł |
| Cena jednostkowa bez VAT: | 8,52815 zł |
|---|---|
| Cena jednostkowa z VAT: | 10,48962 zł |


