Ustawienia
Szybka dostawa
Bezpłatna wysyłka
Incoterms
Typy płatności
Produkt z platformy handlowej
Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.
SIHB11N80AE-GE3 | |
|---|---|
Numer produktu DigiKey | 742-SIHB11N80AE-GE3-ND |
Producent | |
Numer produktu producenta | SIHB11N80AE-GE3 |
Opis | MOSFET N-CH 800V 8A D2PAK |
Standardowy czas realizacji przez producenta | 25 tygodnie |
Numer referencyjny klienta | |
Szczegółowy opis | Kanał N 800 V 8A (Tc) 78W (Tc) Montaż powierzchniowy TO-263 (D2PAK) |
Arkusz danych | Arkusz danych |
Modele EDA/CAD | SIHB11N80AE-GE3 Modele |
Atrybuty produktu
Typ | Opis | Wybierz wszystko |
|---|---|---|
Kategoria | ||
Prod. | ||
Seria | ||
Opakowanie | Rurka | |
Status części | Aktywny | |
Typ FET | ||
Technologia | ||
Napięcie dren-źródło (Vdss) | 800 V | |
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C | ||
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) | 10V | |
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs | 450mOhm przy 5,5A, 10V | |
Vgs(th) (maks.) przy Id | 4V przy 250µA | |
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs | 42 nC @ 10 V | |
Vgs (maks.) | ±30V | |
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds | 804 pF @ 100 V | |
Charakterystyka FET | - | |
Straty mocy (maks.) | 78W (Tc) | |
Temperatura robocza | -55°C - 150°C (TJ) | |
Klasa | - | |
Kwalifikacja | - | |
Typ mocowania | Montaż powierzchniowy | |
Obudowa dostawcy urządzenia | TO-263 (D2PAK) | |
Obudowa / skrzynia | ||
Bazowy numer produktu |
W magazynie: 924
Sprawdź dodatkowe produkty wprowadzane do magazynu
Ilość
Wszystkie ceny podano w PLN
Rurka
| Ilość | Cena jednostkowa | Wartość |
|---|---|---|
| 1 | 10,69000 zł | 10,69 zł |
| 10 | 6,91400 zł | 69,14 zł |
| 100 | 4,76970 zł | 476,97 zł |
| 500 | 3,85302 zł | 1 926,51 zł |
| 1 000 | 3,55854 zł | 3 558,54 zł |
| 2 000 | 3,31095 zł | 6 621,90 zł |
| 5 000 | 3,22538 zł | 16 126,90 zł |
| Cena jednostkowa bez VAT: | 10,69000 zł |
|---|---|
| Cena jednostkowa z VAT: | 13,14870 zł |
Polska