Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze

Wyświetlanie

z 14

Nr kat. prod.	Ilość dostępna	Cena	Seria	Opakowanie	Status produktu	Typ FET	Technologia	Napięcie dren-źródło (Vdss)	Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	Vgs(th) (maks.) przy Id	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	Vgs (maks.)	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	Charakterystyka FET	Straty mocy (maks.)	Temperatura robocza	Klasa	Kwalifikacja	Typ mocowania	Obudowa dostawcy urządzenia	Obudowa / skrzynia
LSIC1MO170E0750 SICFET N-CH 1700V 750OHM TO247-3 Littelfuse Inc.	247 W magazynie	1 : 30,38000 zł Rurka	-	Rurka	Aktywny	Kanał N	SiCFET (węglik krzemu)	1700 V	6,2A (Tc)	20V	1Ohm przy 2A, 20V	4V przy 1mA	13 nC @ 20 V	+22V, -6V	200 pF @ 1000 V	-	60W (Tc)	-55°C - 175°C (TJ)	-	-	Otwór przelotowy	TO-247AD	TO-247-3
LSIC1MO120E0160 SICFET N-CH 1200V 22A TO247-3 Littelfuse Inc.	2 221 W magazynie 1 350 Fabryka	1 : 43,15000 zł Rurka	-	Rurka	Aktywny	Kanał N	SiCFET (węglik krzemu)	1200 V	22A (Tc)	20V	200mOhm przy 10A, 20V	4V przy 5mA	57 nC @ 20 V	+22V, -6V	870 pF @ 800 V	-	125W (Tc)	-55°C - 150°C (TJ)	-	-	Otwór przelotowy	TO-247AD	TO-247-3
LSIC1MO120E0080 SICFET N-CH 1200V 39A TO247-3 Littelfuse Inc.	369 W magazynie	1 : 71,11000 zł Rurka	-	Rurka	Aktywny	Kanał N	SiCFET (węglik krzemu)	1200 V	39A (Tc)	20V	100mOhm przy 20A, 20V	4V przy 10mA	95 nC @ 20 V	+22V, -6V	1825 pF @ 800 V	-	179W (Tc)	-55°C - 150°C	-	-	Otwór przelotowy	TO-247AD	TO-247-3
LSIC1MO170T0750 SICFET N-CH 1700V 6.4A TO263-7L Littelfuse Inc.	853 W magazynie	1 : 35,79000 zł Rurka	-	Rurka	Aktywny	Kanał N	SiCFET (węglik krzemu)	1700 V	6,4A (Tc)	20V	1Ohm przy 2A, 20V	4V przy 1mA	11 nC @ 20 V	+22V, -6V	200 pF @ 1000 V	-	65W (Tc)	-55°C - 175°C (TJ)	-	-	Montaż powierzchniowy	TO-263-7L	TO-263-8, D2PAK (7 odpr. + wypust), TO-263CA
LSIC1MO120G0040 MOSFET SIC 1200V 50A TO247-4L Littelfuse Inc.	0 W magazynie Sprawdź czas realizacji	1 : 100,47000 zł Rurka	-	Rurka	Aktywny	Kanał N	SiCFET (węglik krzemu)	1200 V	70A (Tc)	20V	50mOhm przy 40A, 20V	4V przy 20mA	175 nC @ 20 V	+22V, -6V	317 pF @ 800 V	-	357W (Tc)	-55°C - 175°C (TJ)	-	-	Otwór przelotowy	TO-247-4L	TO-247-4
LSIC1MO170E1000 SICFET N-CH 1700V 5A TO247-3L Littelfuse Inc.	0 W magazynie	450 : 12,98389 zł Rurka	-	Rurka	Nieaktualne	Kanał N	SiCFET (węglik krzemu)	1700 V	5A (Tc)	15V, 20V	1Ohm przy 2A, 20V	4V przy 1mA	15 nC @ 20 V	+22V, -6V	200 pF @ 1000 V	-	54W (Tc)	-55°C - 150°C (TJ)	-	-	Otwór przelotowy	TO-247AD	TO-247-3
LSIC1MO120E0120 SICFET N-CH 1200V 27A TO247-3 Littelfuse Inc.	0 W magazynie	Aktywny	-	Rurka	Aktywny	Kanał N	SiCFET (węglik krzemu)	1200 V	27A (Tc)	20V	150mOhm przy 14A, 20V	4V przy 7mA	80 nC @ 20 V	+22V, -6V	1125 pF @ 800 V	-	139W (Tc)	-55°C - 150°C (TJ)	-	-	Otwór przelotowy	TO-247AD	TO-247-3
LSIC1MO120G0120 MOSFET SIC 1200V 18A TO247-4L Littelfuse Inc.	0 W magazynie	Aktywny	-	Rurka	Aktywny	Kanał N	SiCFET (węglik krzemu)	1200 V	27A (Tc)	20V	150mOhm przy 14A, 20V	4V przy 7mA	63 nC @ 20 V	+22V, -6V	1130 pF @ 800 V	-	156W (Tc)	-55°C - 175°C (TJ)	-	-	Otwór przelotowy	TO-247-4L	TO-247-4
LSIC1MO120G0025 MOSFET SIC 1200V 70A TO247-4L Littelfuse Inc.	0 W magazynie	Aktywny	-	Rurka	Aktywny	Kanał N	SiCFET (węglik krzemu)	1200 V	100A (Tc)	20V	32mOhm przy 50A, 20V	4V przy 30mA	265 nC @ 20 V	+22V, -6V	495 pF @ 800 V	-	500W (Tc)	-55°C - 175°C (TJ)	-	-	Otwór przelotowy	TO-247-4L	TO-247-4
LSIC1MO120G0080 MOSFET SIC 1200V 25A TO247-4L Littelfuse Inc.	0 W magazynie	Aktywny	-	Rurka	Aktywny	Kanał N	SiCFET (węglik krzemu)	1200 V	39A (Tc)	20V	100mOhm przy 20A, 20V	4V przy 10mA	92 nC @ 20 V	+22V, -6V	170 pF @ 800 V	-	214W (Tc)	-55°C - 175°C (TJ)	-	-	Otwór przelotowy	TO-247-4L	TO-247-4
LSIC1MO120G0160 MOSFET SIC 1200V 14A TO247-4L Littelfuse Inc.	0 W magazynie	Aktywny	-	Rurka	Aktywny	Kanał N	SiCFET (węglik krzemu)	1200 V	22A (Tc)	20V	200mOhm przy 10A, 20V	4V przy 5mA	50 nC @ 20 V	+22V, -6V	890 pF @ 800 V	-	125W (Tc)	-55°C - 175°C (TJ)	-	-	Otwór przelotowy	TO-247-4L	TO-247-4
LSIC1MO120T0120-TU 1200V/120MOHM SIC MOSFET TO-263- IXYS	0 W magazynie	Aktywny	-	Rurka	Aktywny	Kanał N	SiCFET (węglik krzemu)	1200 V	27A (Tc)	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	Montaż powierzchniowy	TO-263-7	TO-263-8, D2PAK (7 odpr. + wypust), TO-263CA
LSIC1MO120T0160-TU 1200V/160MOHM SIC MOSFET TO-263- IXYS	0 W magazynie	Aktywny	-	Rurka	Aktywny	Kanał N	SiCFET (węglik krzemu)	1200 V	22A (Tc)	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	Montaż powierzchniowy	TO-263-7	TO-263-8, D2PAK (7 odpr. + wypust), TO-263CA
LSIC1MO120T0080-TU 1200V/80MOHM SIC MOSFET TO-263-7 IXYS	0 W magazynie	Aktywny	-	Rurka	Aktywny	Kanał N	SiCFET (węglik krzemu)	1200 V	39A (Tc)	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	Montaż powierzchniowy	TO-263-7	TO-263-8, D2PAK (7 odpr. + wypust), TO-263CA

Wyświetlanie

z 14

Pojedyncze tranzystory polowe (FET), MOSFET

Pojedyncze tranzystory polowe (FET) i tranzystory polowe typu metal-tlenek-półprzewodnik (MOSFET) to typy tranzystorów, służące do wzmacniania lub przełączania sygnałów elektronicznych.

Pojedynczy tranzystor polowy (FET) steruje przepływem prądu elektrycznego pomiędzy źródłem i drenem przez pole elektryczne wytwarzane napięciem przyłożonym do zacisku bramki. Główną zaletą tranzystorów polowych jest ich wysoka impedancja wejściowa, dzięki której idealnie sprawdzają się we wzmacnianiu sygnałów i obwodach analogowych. Są one szeroko używane w takich zastosowaniach jak wzmacniacze, oscylatory oraz stopnie buforowe w obwodach elektronicznych.

Tranzystory MOSFET stanowią podgrupę tranzystorów polowych, w której zacisk bramki jest odizolowany od kanału cienką warstwą tlenkową, co poprawia ich parametry działania i zapewnia wysoką sprawność. Tranzystory polowe typu metal-tlenek-półprzewodnik dzielą się na dwie kategorie:

Tranzystory MOSFET z kanałem N: gdzie głównymi nośnikami są elektrony.
Tranzystory MOSFET z kanałem P: gdzie głównymi nośnikami są dziury.

Tranzystory MOSFET są preferowane w wielu zastosowaniach ze względu na niski pobór mocy, szybkość przełączania oraz zdolność do obsługi wysokich prądów i napięć. Odgrywają one kluczową rolę w obwodach analogowych i cyfrowych, takich jak zasilacze, napędy silnikowe oraz zastosowania na częstotliwości radiowe.

Pod względem działania, tranzystory polowe typu metal-tlenek-półprzewodnik (MOSFET) dzielą się na dwie kategorie:

Z kanałem wzbogaconym: tego typu tranzystory MOSFET są normalnie wyłączone, gdy napięcie bramka-źródło wynosi zero. Do włączenia wymagają one dodatniego napięcia bramka-źródło (kanał N) lub ujemnego napięcia bramka-źródło (kanał P).
Z kanałem zubożonym: tego typu tranzystory MOSFET są normalnie włączone, gdy napięcie bramka-źródło wynosi zero. Można je wyłączyć podając napięcie bramka-źródło o przeciwnej polaryzacji.

Do zalet tranzystorów polowych typu metal-tlenek-półprzewodnik (MOSFET) zaliczają się między innymi:

Wysoka sprawność: bardzo niski pobór mocy, szybkie przełączanie stanów, a co za tym idzie wysoka sprawność w zastosowaniach zarządzania zasilaniem.
Niska rezystancja w stanie włączenia: minimalizacja strat mocy i wytwarzania ciepła.
Wysoka impedancja wejściowa: izolowana struktura bramki zapewnia bardzo wysoką impedancję wejściową, idealnie sprawdzającą się we wzmacnianiu sygnałów wysokoimpedancyjnych.

Podsumowując, pojedyncze tranzystory polowe (FET), w szczególności typu metal-tlenek-półprzewodnik (MOSFET), są podstawowymi współczesnymi komponentami elektronicznymi znanymi ze sprawności, szybkości oraz uniwersalności w szerokiej gamie zastosowań, od wzmacniania sygnałów małej mocy, poprzez przełączanie dużych mocy, aż do sterowania.

Pojedyncze tranzystory polowe (FET), MOSFET

INFORMATION

HELP

CONTACT US

FOLLOW US