LSIC1MO170E1000 Littelfuse Inc. | Półprzewodniki dyskretne

LSIC1MO170E1000 jest przestarzałe i nie jest już produkowane.

Dostępne zamienniki:

Similar

Littelfuse Inc.

W magazynie: 247

Cena jednostkowa : 30,38000 zł

Similar

STMicroelectronics

W magazynie: 123

Cena jednostkowa : 50,91000 zł

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

LSIC1MO170E1000
Numer produktu DigiKey	F11760-ND
Producent	Littelfuse Inc.
Numer produktu producenta	LSIC1MO170E1000
Opis	SICFET N-CH 1700V 5A TO247-3L
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 1700 V 5A (Tc) 54W (Tc) Otwór przelotowy TO-247AD
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Littelfuse Inc.
Seria	-
Opakowanie	Rurka
Status części	Nieaktualne
Typ FET	Kanał N
Technologia	SiCFET (węglik krzemu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	1700 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	5A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	15V, 20V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	1Ohm przy 2A, 20V
Vgs(th) (maks.) przy Id	4V przy 1mA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	15 nC @ 20 V
Vgs (maks.)	+22V, -6V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	200 pF @ 1000 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	54W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 150°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Otwór przelotowy
Obudowa dostawcy urządzenia	TO-247AD
Obudowa / skrzynia	TO-247-3