VideoLibrary

How to GaN - 04: GaN Design Basics – Gate Drive

How to drive a GaN transistor to achieve maximum performance.

6/12/2020 7:56:08 PM

Part List

ObrazManufacturer Part NumberOpisDostępna ilość CenaWyświetl szczegóły
MOSFET 2N-CH 100V 1.7A DIEEPC2106MOSFET 2N-CH 100V 1.7A DIE13595 - Immediate$9.74Wyświetl szczegóły
MOSFET 2N-CH 120V 3.4A DIEEPC2110MOSFET 2N-CH 120V 3.4A DIE12030 - Immediate$11.71Wyświetl szczegóły
MOSFET 3N-CH 60V/100V 9BGAEPC2108MOSFET 3N-CH 60V/100V 9BGA636 - Immediate$9.37Wyświetl szczegóły
MOSFET 2N-CH 30V 16A DIEEPC2111MOSFET 2N-CH 30V 16A DIE16157 - Immediate$15.88Wyświetl szczegóły
MOSFET 2N-CH 60V 9.5A/38A DIEEPC2101MOSFET 2N-CH 60V 9.5A/38A DIE563 - Immediate$39.38Wyświetl szczegóły
MOSFET 2N-CH 60V 23A DIEEPC2102MOSFET 2N-CH 60V 23A DIE1397 - Immediate$37.88Wyświetl szczegóły
MOSFET 2N-CH 80V 28A DIEEPC2103MOSFET 2N-CH 80V 28A DIE4072 - Immediate$39.38Wyświetl szczegóły
MOSFET 2N-CH 100V 23A DIEEPC2104MOSFET 2N-CH 100V 23A DIE2653 - Immediate$37.88Wyświetl szczegóły

Related Videos

EPC 2024 electronica interview: GaN and the future of untethered robots
EPC 2024 electronica interview: GaN and the future of untethered robots

Publish Date: 2025-01-29

Gallium Nitride Reliability in Real-World DC-DC Applications
Gallium Nitride Reliability in Real-World DC-DC Applications

Publish Date: 2023-08-31

Gallium Nitride Reliability in Real-World Space Applications Webinar
Gallium Nitride Reliability in Real-World Space Applications Webinar

Publish Date: 2023-08-31

Related Product Highlight

EPC2111 30 V eGaN® Transistor Half-Bridge EPC's EPC2111 eGaN® half-bridge enables 12 V to 1.8 V system efficiency over 85% at 5 MHz at 14 A output reducing costs to end user’s power conversion systems.
EPC2106 Half Bridge EPC's EPC2106 half bridge has high efficiency power conversion in a small footprint.
GaN ICs for Wireless Power EPC's GaN Semiconductors are designed specifically for resonant wireless power transfer applications, enabling rapid design of highly efficient end-use systems.

Related Articles and Blogs

Półprzewodniki o szerokiej przerwie energetycznej poprawiają sprawność działania ośrodków przetwarzania danych Ponieważ ośrodki przetwarzania danych charakteryzują się ogromnym zapotrzebowaniem na energię, wymagane są rozwiązania w zakresie zasilania, które mogą zmniejszyć straty mocy, zwiększyć sprawność i poprawić kontrolę termiczną.
Półprzewodniki o szerokiej przerwie energetycznej zmieniają świat transportu Cały sektor transportu przechodzi radykalną transformację dzięki rozwiązaniom dla samochodów elektrycznych i hybrydowych oraz czystszego transportu zbiorowego.
Power GaN Products and Resources Available at DigiKey GaN is making inroads into power design. This blog provides some background and some relevant GaN products and resources now available at DigiKey.