T9MOSFETs-LG

Automotive Trench 9 MOSFETs

Nexperia

This presentation will explain the benefits of the Trench 9 technology including the product power density, surviving application fault tolerance, and improving efficiency of MOSFETs in parallel in high power applications.

Related Parts

ObrazManufacturer Part NumberOpisDostępna ilość CenaWyświetl szczegóły
MOSFET N-CH 40V 190A LFPAK56BUK7J1R4-40HXMOSFET N-CH 40V 190A LFPAK561439 - Immediate$14.64Wyświetl szczegóły
MOSFET N-CH 40V 120A LFPAK56BUK7Y1R7-40HXMOSFET N-CH 40V 120A LFPAK561375 - Immediate$7.96Wyświetl szczegóły
MOSFET N-CH 40V 120A LFPAK56BUK7Y2R0-40HXMOSFET N-CH 40V 120A LFPAK561130 - Immediate$11.21Wyświetl szczegóły
MOSFET N-CH 40V 120A LFPAK56BUK7Y2R5-40HXMOSFET N-CH 40V 120A LFPAK561370 - Immediate$6.96Wyświetl szczegóły
MOSFET N-CH 40V 120A LFPAK56BUK7Y3R0-40HXMOSFET N-CH 40V 120A LFPAK560 - Immediate$5.86Wyświetl szczegóły
MOSFET N-CH 40V 120A LFPAK56BUK7Y3R5-40HXMOSFET N-CH 40V 120A LFPAK561016 - Immediate$7.64Wyświetl szczegóły
PTM Published on: 2018-03-01

Related Videos

New Trench 9 automotive MOSFETs from Nexperia, with 30% reduction in RDS(on)
New Trench 9 automotive MOSFETs from Nexperia, with 30% reduction in RDS(on)

Publish Date: 2017-11-20

Related Product Highlight

LFPAK88 MOSFETs for Automotive Nexperia’s LFPAK88 MOSFETs for automotive with an 8 mm x 8 mm footprint have an advanced package design that exceeds 2x AEC-Q101.
Trench 9 Automotive MOSFETs Nexperia’s Trench 9 power MOSFETs combine low voltage superjunction technology with advanced packaging capabilities to deliver high performance and ruggedness.
Trench 9 40 V MOSFETs Nexperia’s Trench 9 power MOSFETs combine low voltage superjunction technology with advanced packaging capability.

Related Articles and Blogs

Maksymalizacja gęstości mocy i parametrów działania w przetwornicach przełączających z użyciem podwójnych tranzystorów MOSFET Zagadnienia dotyczące projektowania układów termicznych obwodów i płytek drukowanych, symulacji elektrotermicznej oraz analizy strat w celu uzyskania optymalnej gęstości mocy i parametrów działania tranzystorów MOSFET.