Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze

Wyświetlanie

z 45 483

Nr kat. prod.	Ilość dostępna	Cena	Seria	Opakowanie	Status produktu	Typ FET	Technologia	Napięcie dren-źródło (Vdss)	Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	Vgs(th) (maks.) przy Id	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	Vgs (maks.)	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	Charakterystyka FET	Straty mocy (maks.)	Temperatura robocza	Klasa	Kwalifikacja	Typ mocowania	Obudowa dostawcy urządzenia	Obudowa / skrzynia
2N7002NXAKR MOSFET N-CH 60V 190MA TO236AB Nexperia USA Inc.	178 196 W magazynie	1 : 0,48000 zł Taśma cięta (CT) 3 000 : 0,09393 zł Taśma i szpula (TR)	-	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Aktywny	Kanał N	MOSFET (tlenek metalu)	60 V	190mA (Ta), 300mA (Tc)	5V, 10V	4,5Ohm przy 100mA, 10V	2,1V przy 250µA	0.43 nC @ 4.5 V	±20V	20 pF @ 10 V	-	265mW (Ta), 1,33W (Tc)	-55°C - 150°C (TJ)	-	-	Montaż powierzchniowy	TO-236AB	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
NX7002AK,215 MOSFET N-CH 60V 190MA TO236AB Nexperia USA Inc.	27 950 W magazynie	1 : 0,48000 zł Taśma cięta (CT) 3 000 : 0,09393 zł Taśma i szpula (TR)	-	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Aktywny	Kanał N	MOSFET (tlenek metalu)	60 V	190mA (Ta)	5V, 10V	4,5Ohm przy 100mA, 10V	2,1V przy 250µA	0.43 nC @ 4.5 V	±20V	17 pF @ 10 V	-	265mW (Ta), 1,33W (Tc)	-55°C - 150°C (TJ)	-	-	Montaż powierzchniowy	TO-236AB	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
T2N7002AK,LM MOSFET N-CH 60V 200MA SOT23 Toshiba Semiconductor and Storage	155 777 W magazynie	1 : 0,51000 zł Taśma cięta (CT) 3 000 : 0,09550 zł Taśma i szpula (TR)	U-MOSVII-H	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Aktywny	Kanał N	MOSFET (tlenek metalu)	60 V	200mA (Ta)	4,5V, 10V	3,9Ohm przy 100mA, 10V	2,1V przy 250µA	0.35 nC @ 4.5 V	±20V	17 pF @ 10 V	-	320mW (Ta)	150°C (TJ)	-	-	Montaż powierzchniowy	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
2N7002-7-F MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3 Diodes Incorporated	253 961 W magazynie	1 : 0,66000 zł Taśma cięta (CT) 3 000 : 0,12899 zł Taśma i szpula (TR)	-	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Aktywny	Kanał N	MOSFET (tlenek metalu)	60 V	115mA (Ta)	5V, 10V	7,5Ohm przy 50mA, 5V	2,5V przy 250µA	-	±20V	50 pF @ 25 V	-	370mW (Ta)	-55°C - 150°C (TJ)	-	-	Montaż powierzchniowy	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
RE1C002UNTCL MOSFET N-CH 20V 200MA EMT3F Rohm Semiconductor	421 385 W magazynie	1 : 0,73000 zł Taśma cięta (CT) 3 000 : 0,14666 zł Taśma i szpula (TR)	-	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Aktywny	Kanał N	MOSFET (tlenek metalu)	20 V	200mA (Ta)	1,2V, 2,5V	1,2Ohm przy 100mA, 2,5V	1V przy 1mA	-	±8V	25 pF @ 10 V	-	150mW (Ta)	150°C (TJ)	-	-	Montaż powierzchniowy	EMT3F (SOT-416FL)	SC-89, SOT-490
BSS138-7-F MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3 Diodes Incorporated	223 707 W magazynie	1 : 0,73000 zł Taśma cięta (CT) 3 000 : 0,14095 zł Taśma i szpula (TR)	-	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Aktywny	Kanał N	MOSFET (tlenek metalu)	50 V	200mA (Ta)	10V	3,5Ohm przy 220mA, 10V	1,5V przy 250µA	-	±20V	50 pF @ 10 V	-	300mW (Ta)	-55°C - 150°C (TJ)	-	-	Montaż powierzchniowy	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
2N7002KT1G MOSFET N-CH 60V 320MA SOT23-3 onsemi	65 690 W magazynie	1 : 0,73000 zł Taśma cięta (CT) 3 000 : 0,14326 zł Taśma i szpula (TR)	-	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Aktywny	Kanał N	MOSFET (tlenek metalu)	60 V	320mA (Ta)	4,5V, 10V	1,6Ohm przy 500mA, 10V	2,3V przy 250µA	0.7 nC @ 4.5 V	±20V	24.5 pF @ 20 V	-	300mW (Ta)	-55°C - 150°C (TJ)	-	-	Montaż powierzchniowy	SOT-23-3 (TO-236)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
2N7002ET1G MOSFET N-CH 60V 260MA SOT23-3 onsemi	202 382 W magazynie	1 : 0,77000 zł Taśma cięta (CT) 3 000 : 0,15271 zł Taśma i szpula (TR)	-	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Aktywny	Kanał N	MOSFET (tlenek metalu)	60 V	260mA (Ta)	4,5V, 10V	2,5Ohm przy 240mA, 10V	2,5V przy 250µA	0.81 nC @ 5 V	±20V	26.7 pF @ 25 V	-	300mW (Tj)	-55°C - 150°C (TJ)	-	-	Montaż powierzchniowy	SOT-23-3 (TO-236)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
BSS84-7-F MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3 Diodes Incorporated	41 124 W magazynie	1 : 0,77000 zł Taśma cięta (CT) 3 000 : 0,15265 zł Taśma i szpula (TR)	-	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Aktywny	Kanał P	MOSFET (tlenek metalu)	50 V	130mA (Ta)	5V	10Ohm przy 100mA, 5V	2V przy 1mA	-	±20V	45 pF @ 25 V	-	300mW (Ta)	-55°C - 150°C (TJ)	-	-	Montaż powierzchniowy	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
RU1J002YNTCL MOSFET N-CH 50V 200MA UMT3F Rohm Semiconductor	181 980 W magazynie	1 : 0,81000 zł Taśma cięta (CT) 3 000 : 0,16135 zł Taśma i szpula (TR)	-	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Aktywny	Kanał N	MOSFET (tlenek metalu)	50 V	200mA (Ta)	0,9V, 4,5V	2,2Ohm przy 200mA, 4,5V	800mV przy 1mA	-	±8V	26 pF @ 10 V	-	150mW (Ta)	150°C (TJ)	-	-	Montaż powierzchniowy	UMT3F	SC-85
RZM001P02T2L MOSFET P-CH 20V 100MA VMT3 Rohm Semiconductor	2 174 W magazynie	1 : 0,81000 zł Taśma cięta (CT) 8 000 : 0,13806 zł Taśma i szpula (TR)	-	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Aktywny	Kanał P	MOSFET (tlenek metalu)	20 V	100mA (Ta)	1,2V, 4,5V	3,8Ohm przy 100mA, 4,5V	1V przy 100µA	-	±10V	15 pF @ 10 V	-	150mW (Ta)	150°C (TJ)	-	-	Montaż powierzchniowy	VMT3	SOT-723
BSS123-7-F MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3 Diodes Incorporated	259 146 W magazynie	1 : 0,84000 zł Taśma cięta (CT) 3 000 : 0,16287 zł Taśma i szpula (TR)	-	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Aktywny	Kanał N	MOSFET (tlenek metalu)	100 V	170mA (Ta)	10V	6Ohm przy 170mA, 10V	2V przy 1mA	-	±20V	60 pF @ 25 V	-	300mW (Ta)	-55°C - 150°C (TJ)	-	-	Montaż powierzchniowy	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SSM3K15AMFV,L3F MOSFET N-CH 30V 100MA VESM Toshiba Semiconductor and Storage	149 220 W magazynie	1 : 0,84000 zł Taśma cięta (CT) 8 000 : 0,14503 zł Taśma i szpula (TR)	U-MOSIII	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Aktywny	Kanał N	MOSFET (tlenek metalu)	30 V	100mA (Ta)	2,5V, 4V	3,6Ohm przy 10mA, 4V	1,5V przy 100µA	-	±20V	13.5 pF @ 3 V	-	150mW (Ta)	150°C (TJ)	-	-	Montaż powierzchniowy	VESM	SOT-723
2N7002LT1G MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3 onsemi	83 755 W magazynie	1 : 0,84000 zł Taśma cięta (CT) 3 000 : 0,16921 zł Taśma i szpula (TR)	-	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Aktywny	Kanał N	MOSFET (tlenek metalu)	60 V	115mA (Tc)	5V, 10V	7,5Ohm przy 500mA, 10V	2,5V przy 250µA	-	±20V	50 pF @ 25 V	-	225mW (Ta)	-55°C - 150°C (TJ)	-	-	Montaż powierzchniowy	SOT-23-3 (TO-236)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
RUC002N05T116 MOSFET N-CH 50V 200MA SST3 Rohm Semiconductor	208 407 W magazynie	1 : 0,92000 zł Taśma cięta (CT) 3 000 : 0,17175 zł Taśma i szpula (TR)	-	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Aktywny	Kanał N	MOSFET (tlenek metalu)	50 V	200mA (Ta)	1,2V, 4,5V	2,2Ohm przy 200mA, 4,5V	1V przy 1mA	-	±8V	25 pF @ 10 V	-	200mW (Ta)	150°C (TJ)	-	-	Montaż powierzchniowy	SST3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
BSS138W-7-F MOSFET N-CH 50V 200MA SOT323 Diodes Incorporated	194 128 W magazynie	1 : 0,92000 zł Taśma cięta (CT) 3 000 : 0,17978 zł Taśma i szpula (TR)	-	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Aktywny	Kanał N	MOSFET (tlenek metalu)	50 V	200mA (Ta)	10V	3,5Ohm przy 220mA, 10V	1,5V przy 250µA	-	±20V	50 pF @ 10 V	-	200mW (Ta)	-55°C - 150°C (TJ)	-	-	Montaż powierzchniowy	SOT-323	SC-70, SOT-323
DMG1013T-7 MOSFET P-CH 20V 460MA SOT523 Diodes Incorporated	49 495 W magazynie	1 : 0,92000 zł Taśma cięta (CT) 3 000 : 0,18224 zł Taśma i szpula (TR)	-	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Aktywny	Kanał P	MOSFET (tlenek metalu)	20 V	460mA (Ta)	1,8V, 4,5V	700mOhm przy 350mA, 4,5V	1V przy 250µA	0.622 nC @ 4.5 V	±6V	59.76 pF @ 16 V	-	270mW (Ta)	-55°C - 150°C (TJ)	-	-	Montaż powierzchniowy	SOT-523	SOT-523
SSM3K35CTC,L3F MOSFET N-CH 20V 250MA CST3C Toshiba Semiconductor and Storage	39 732 W magazynie	1 : 0,92000 zł Taśma cięta (CT) 10 000 : 0,15095 zł Taśma i szpula (TR)	U-MOSIII	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Aktywny	Kanał N	MOSFET (tlenek metalu)	20 V	250mA (Ta)	1,2V, 4,5V	1,1Ohm przy 150mA, 4,5V	1V przy 100µA	0.34 nC @ 4.5 V	±10V	36 pF @ 10 V	-	500mW (Ta)	150°C (TJ)	-	-	Montaż powierzchniowy	CST3C	SC-101, SOT-883
2N7002T-7-F MOSFET N-CH 60V 115MA SOT-523 Diodes Incorporated	19 554 W magazynie	1 : 0,92000 zł Taśma cięta (CT) 3 000 : 0,18293 zł Taśma i szpula (TR)	-	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Aktywny	Kanał N	MOSFET (tlenek metalu)	60 V	115mA (Ta)	5V, 10V	7,5Ohm przy 50mA, 5V	2V przy 250µA	-	±20V	50 pF @ 25 V	-	150mW (Ta)	-55°C - 150°C (TJ)	-	-	Montaż powierzchniowy	SOT-523	SOT-523
FDV301N MOSFET N-CH 25V 220MA SOT23 onsemi	227 542 W magazynie	1 : 0,95000 zł Taśma cięta (CT) 3 000 : 0,19737 zł Taśma i szpula (TR)	-	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Aktywny	Kanał N	MOSFET (tlenek metalu)	25 V	220mA (Ta)	2,7V, 4,5V	4Ohm przy 400mA, 4,5V	1,06V przy 250µA	0.7 nC @ 4.5 V	±8V	9.5 pF @ 10 V	-	350mW (Ta)	-55°C - 155°C (TJ)	-	-	Montaż powierzchniowy	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
DMG2301L-7 MOSFET P-CH 20V 3A SOT23 Diodes Incorporated	83 656 W magazynie	1 : 0,95000 zł Taśma cięta (CT) 3 000 : 0,19144 zł Taśma i szpula (TR)	-	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Aktywny	Kanał P	MOSFET (tlenek metalu)	20 V	3A (Ta)	2,5V, 4,5V	120mOhm przy 2,8A, 4,5V	1,2V przy 250µA	5.5 nC @ 4.5 V	±8V	476 pF @ 10 V	-	1,5W (Ta)	-55°C - 150°C (TJ)	-	-	Montaż powierzchniowy	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
BSS84PH6327XTSA2 MOSFET P-CH 60V 170MA SOT23-3 Infineon Technologies	61 308 W magazynie	1 : 0,95000 zł Taśma cięta (CT) 3 000 : 0,19422 zł Taśma i szpula (TR)	SIPMOS®	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Aktywny	Kanał P	MOSFET (tlenek metalu)	60 V	170mA (Ta)	4,5V, 10V	8Ohm przy 170mA, 10V	2V przy 20µA	1.5 nC @ 10 V	±20V	19 pF @ 25 V	-	360mW (Ta)	-55°C - 150°C (TJ)	Motoryzacja	AEC-Q101	Montaż powierzchniowy	PG-SOT23	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
DMN62D0U-7 MOSFET N-CH 60V 380MA SOT23 Diodes Incorporated	16 825 W magazynie	1 : 0,95000 zł Taśma cięta (CT) 3 000 : 0,18900 zł Taśma i szpula (TR)	-	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Aktywny	Kanał N	MOSFET (tlenek metalu)	60 V	380mA (Ta)	1,8V, 4,5V	2Ohm przy 100mA, 4,5V	1V przy 250µA	0.5 nC @ 4.5 V	±20V	32 pF @ 30 V	-	380mW (Ta)	-55°C - 150°C (TJ)	-	-	Montaż powierzchniowy	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
NTA7002NT1G MOSFET N-CH 30V 154MA SC75 onsemi	102 950 W magazynie	1 : 0,99000 zł Taśma cięta (CT) 3 000 : 0,20363 zł Taśma i szpula (TR)	-	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Aktywny	Kanał N	MOSFET (tlenek metalu)	30 V	154mA (Tj)	2,5V, 4,5V	7Ohm przy 154mA, 4,5V	1,5V przy 100µA	-	±10V	20 pF @ 5 V	-	300mW (Tj)	-55°C - 150°C (TJ)	-	-	Montaż powierzchniowy	SC-75, SOT-416	SC-75, SOT-416
BSS138 MOSFET N-CH 50V 220MA SOT23-3 onsemi	277 488 W magazynie	1 : 1,02000 zł Taśma cięta (CT) 3 000 : 0,21046 zł Taśma i szpula (TR)	-	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Aktywny	Kanał N	MOSFET (tlenek metalu)	50 V	170mA	4,5V, 10V	3Ohm przy 500mA, 10V	1,6V przy 250µA	2.4 nC @ 10 V	±20V	27 pF @ 25 V	-	350mW (Ta)	-55°C - 155°C (TJ)	-	-	Montaż powierzchniowy	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Wyświetlanie

z 45 483

Pojedyncze tranzystory polowe (FET), MOSFET

Pojedyncze tranzystory polowe (FET) i tranzystory polowe typu metal-tlenek-półprzewodnik (MOSFET) to typy tranzystorów, służące do wzmacniania lub przełączania sygnałów elektronicznych.

Pojedynczy tranzystor polowy (FET) steruje przepływem prądu elektrycznego pomiędzy źródłem i drenem przez pole elektryczne wytwarzane napięciem przyłożonym do zacisku bramki. Główną zaletą tranzystorów polowych jest ich wysoka impedancja wejściowa, dzięki której idealnie sprawdzają się we wzmacnianiu sygnałów i obwodach analogowych. Są one szeroko używane w takich zastosowaniach jak wzmacniacze, oscylatory oraz stopnie buforowe w obwodach elektronicznych.

Tranzystory MOSFET stanowią podgrupę tranzystorów polowych, w której zacisk bramki jest odizolowany od kanału cienką warstwą tlenkową, co poprawia ich parametry działania i zapewnia wysoką sprawność. Tranzystory polowe typu metal-tlenek-półprzewodnik dzielą się na dwie kategorie:

Tranzystory MOSFET z kanałem N: gdzie głównymi nośnikami są elektrony.
Tranzystory MOSFET z kanałem P: gdzie głównymi nośnikami są dziury.

Tranzystory MOSFET są preferowane w wielu zastosowaniach ze względu na niski pobór mocy, szybkość przełączania oraz zdolność do obsługi wysokich prądów i napięć. Odgrywają one kluczową rolę w obwodach analogowych i cyfrowych, takich jak zasilacze, napędy silnikowe oraz zastosowania na częstotliwości radiowe.

Pod względem działania, tranzystory polowe typu metal-tlenek-półprzewodnik (MOSFET) dzielą się na dwie kategorie:

Z kanałem wzbogaconym: tego typu tranzystory MOSFET są normalnie wyłączone, gdy napięcie bramka-źródło wynosi zero. Do włączenia wymagają one dodatniego napięcia bramka-źródło (kanał N) lub ujemnego napięcia bramka-źródło (kanał P).
Z kanałem zubożonym: tego typu tranzystory MOSFET są normalnie włączone, gdy napięcie bramka-źródło wynosi zero. Można je wyłączyć podając napięcie bramka-źródło o przeciwnej polaryzacji.

Do zalet tranzystorów polowych typu metal-tlenek-półprzewodnik (MOSFET) zaliczają się między innymi:

Wysoka sprawność: bardzo niski pobór mocy, szybkie przełączanie stanów, a co za tym idzie wysoka sprawność w zastosowaniach zarządzania zasilaniem.
Niska rezystancja w stanie włączenia: minimalizacja strat mocy i wytwarzania ciepła.
Wysoka impedancja wejściowa: izolowana struktura bramki zapewnia bardzo wysoką impedancję wejściową, idealnie sprawdzającą się we wzmacnianiu sygnałów wysokoimpedancyjnych.

Podsumowując, pojedyncze tranzystory polowe (FET), w szczególności typu metal-tlenek-półprzewodnik (MOSFET), są podstawowymi współczesnymi komponentami elektronicznymi znanymi ze sprawności, szybkości oraz uniwersalności w szerokiej gamie zastosowań, od wzmacniania sygnałów małej mocy, poprzez przełączanie dużych mocy, aż do sterowania.

Pojedyncze tranzystory polowe (FET), MOSFET

INFORMATION

HELP

CONTACT US

FOLLOW US