Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze

Wyświetlanie

z 44 391

Nr kat. prod.	Ilość dostępna	Cena	Seria	Opakowanie	Status produktu	Typ FET	Technologia	Napięcie dren-źródło (Vdss)	Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	Vgs(th) (maks.) przy Id	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	Vgs (maks.)	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	Charakterystyka FET	Straty mocy (maks.)	Temperatura robocza	Klasa	Kwalifikacja	Typ mocowania	Obudowa dostawcy urządzenia	Obudowa / skrzynia
2N7002NXAKR MOSFET N-CH 60V 190MA TO236AB Nexperia USA Inc.	362 824 W magazynie	1 : 0,50000 zł Taśma cięta (CT) 3 000 : 0,09768 zł Taśma i szpula (TR)	-	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Aktywny	Kanał N	MOSFET (tlenek metalu)	60 V	190mA (Ta), 300mA (Tc)	5V, 10V	4,5Ohm przy 100mA, 10V	2,1V przy 250µA	0.43 nC @ 4.5 V	±20V	20 pF @ 10 V	-	265mW (Ta), 1,33W (Tc)	-55°C - 150°C (TJ)	-	-	Montaż powierzchniowy	TO-236AB	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
NX7002AK,215 MOSFET N-CH 60V 190MA TO236AB Nexperia USA Inc.	69 014 W magazynie	1 : 0,50000 zł Taśma cięta (CT) 3 000 : 0,09860 zł Taśma i szpula (TR)	-	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Aktywny	Kanał N	MOSFET (tlenek metalu)	60 V	190mA (Ta)	5V, 10V	4,5Ohm przy 100mA, 10V	2,1V przy 250µA	0.43 nC @ 4.5 V	±20V	17 pF @ 10 V	-	265mW (Ta), 1,33W (Tc)	-55°C - 150°C (TJ)	-	-	Montaż powierzchniowy	TO-236AB	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
T2N7002AK,LM MOSFET N-CH 60V 200MA SOT23 Toshiba Semiconductor and Storage	445 673 W magazynie	1 : 0,54000 zł Taśma cięta (CT) 3 000 : 0,10336 zł Taśma i szpula (TR)	U-MOSVII-H	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Aktywny	Kanał N	MOSFET (tlenek metalu)	60 V	200mA (Ta)	4,5V, 10V	3,9Ohm przy 100mA, 10V	2,1V przy 250µA	0.35 nC @ 4.5 V	±20V	17 pF @ 10 V	-	320mW (Ta)	150°C (TJ)	-	-	Montaż powierzchniowy	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
T2N7002BK,LM MOSFET N-CH 60V 400MA SOT23-3 Toshiba Semiconductor and Storage	1 250 849 W magazynie	1 : 0,57000 zł Taśma cięta (CT) 3 000 : 0,11116 zł Taśma i szpula (TR)	U-MOSVII-H	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Aktywny	Kanał N	MOSFET (tlenek metalu)	60 V	400mA (Ta)	4,5V, 10V	1,5Ohm przy 100mA, 10V	2,1V przy 250µA	0.6 nC @ 4.5 V	±20V	40 pF @ 10 V	-	320mW (Ta)	150°C (TJ)	-	-	Montaż powierzchniowy	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
2N7002 MOSFET N-CH 60V 280MA SOT23-3 Diotec Semiconductor	135 149 W magazynie	1 : 0,57000 zł Taśma cięta (CT) 3 000 : 0,11500 zł Taśma i szpula (TR)	-	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Aktywny	Kanał N	MOSFET (tlenek metalu)	60 V	280mA (Ta)	5V, 10V	5Ohm przy 500mA, 10V	2,5V przy 250µA	-	±30V	50 pF @ 25 V	-	350mW (Ta)	150°C (TJ)	-	-	Montaż powierzchniowy	SOT-23-3 (TO-236)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
DMN65D8L-7 MOSFET N-CH 60V 310MA SOT23 Diodes Incorporated	8 639 W magazynie	1 : 0,61000 zł Taśma cięta (CT) 3 000 : 0,11881 zł Taśma i szpula (TR)	-	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Aktywny	Kanał N	MOSFET (tlenek metalu)	60 V	310mA (Ta)	5V, 10V	3Ohm przy 115mA, 10V	2V przy 250µA	0.87 nC @ 10 V	±20V	22 pF @ 25 V	-	370mW (Ta)	-55°C - 150°C (TJ)	-	-	Montaż powierzchniowy	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
2N7002BK,215 MOSFET N-CH 60V 350MA TO236AB Nexperia USA Inc.	38 693 W magazynie	1 : 0,68000 zł Taśma cięta (CT) 3 000 : 0,13522 zł Taśma i szpula (TR)	TrenchMOS™	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Aktywny	Kanał N	MOSFET (tlenek metalu)	60 V	350mA (Ta)	10V	1,6Ohm przy 500mA, 10V	2,1V przy 250µA	0.6 nC @ 4.5 V	±20V	50 pF @ 10 V	-	370mW (Ta)	150°C (TJ)	Motoryzacja	AEC-Q101	Montaż powierzchniowy	TO-236AB	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
2N7002P,215 MOSFET N-CH 60V 360MA TO236AB Nexperia USA Inc.	82 691 W magazynie	1 : 0,72000 zł Taśma cięta (CT) 3 000 : 0,14105 zł Taśma i szpula (TR)	-	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Nie do nowych projektów	Kanał N	MOSFET (tlenek metalu)	60 V	360mA (Ta)	10V	1,6Ohm przy 500mA, 10V	2,4V przy 250µA	0.8 nC @ 4.5 V	±20V	50 pF @ 10 V	-	350mW (Ta)	-55°C - 150°C (TJ)	Motoryzacja	AEC-Q101	Montaż powierzchniowy	TO-236AB	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
2N7002WT1G MOSFET N-CH 60V 310MA SC70-3 onsemi	1 235 W magazynie	1 : 0,72000 zł Taśma cięta (CT) 3 000 : 0,13655 zł Taśma i szpula (TR)	-	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Aktywny	Kanał N	MOSFET (tlenek metalu)	60 V	310mA (Ta)	4,5V, 10V	1,6Ohm przy 500mA, 10V	2,5V przy 250µA	0.7 nC @ 4.5 V	±20V	24.5 pF @ 20 V	-	280mW (Tj)	-55°C - 150°C (TJ)	-	-	Montaż powierzchniowy	SC-70-3 (SOT323)	SC-70, SOT-323
2N7002KT1G MOSFET N-CH 60V 320MA SOT23-3 onsemi	193 212 W magazynie	1 : 0,75000 zł Taśma cięta (CT) 3 000 : 0,14056 zł Taśma i szpula (TR)	-	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Aktywny	Kanał N	MOSFET (tlenek metalu)	60 V	320mA (Ta)	4,5V, 10V	1,6Ohm przy 500mA, 10V	2,3V przy 250µA	0.7 nC @ 4.5 V	±20V	24.5 pF @ 20 V	-	300mW (Ta)	-55°C - 150°C (TJ)	-	-	Montaż powierzchniowy	SOT-23-3 (TO-236)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
BSS138-7-F MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3 Diodes Incorporated	101 286 W magazynie	1 : 0,75000 zł Taśma cięta (CT) 3 000 : 0,14255 zł Taśma i szpula (TR)	-	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Aktywny	Kanał N	MOSFET (tlenek metalu)	50 V	200mA (Ta)	10V	3,5Ohm przy 220mA, 10V	1,5V przy 250µA	-	±20V	50 pF @ 10 V	-	300mW (Ta)	-55°C - 150°C (TJ)	-	-	Montaż powierzchniowy	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
2N7002A-7 MOSFET N-CH 60V 180MA SOT23 Diodes Incorporated	29 026 W magazynie	1 : 0,75000 zł Taśma cięta (CT) 3 000 : 0,15254 zł Taśma i szpula (TR)	-	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Aktywny	Kanał N	MOSFET (tlenek metalu)	60 V	180mA (Ta)	5V, 10V	6Ohm przy 115mA, 5V	2V przy 250µA	-	±20V	23 pF @ 25 V	-	370mW (Ta)	-55°C - 150°C (TJ)	-	-	Montaż powierzchniowy	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
RE1C002UNTCL MOSFET N-CH 20V 200MA EMT3F Rohm Semiconductor	863 275 W magazynie	1 : 0,79000 zł Taśma cięta (CT) 3 000 : 0,15537 zł Taśma i szpula (TR)	-	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Aktywny	Kanał N	MOSFET (tlenek metalu)	20 V	200mA (Ta)	1,2V, 2,5V	1,2Ohm przy 100mA, 2,5V	1V przy 1mA	-	±8V	25 pF @ 10 V	-	150mW (Ta)	150°C (TJ)	-	-	Montaż powierzchniowy	EMT3F (SOT-416FL)	SC-89, SOT-490
FDV301N MOSFET N-CH 25V 220MA SOT23 onsemi	490 057 W magazynie	1 : 0,79000 zł Taśma cięta (CT) 3 000 : 0,15008 zł Taśma i szpula (TR)	-	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Aktywny	Kanał N	MOSFET (tlenek metalu)	25 V	220mA (Ta)	2,7V, 4,5V	4Ohm przy 400mA, 4,5V	1,06V przy 250µA	0.7 nC @ 4.5 V	±8V	9.5 pF @ 10 V	-	350mW (Ta)	-55°C - 155°C (TJ)	-	-	Montaż powierzchniowy	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SSM3K37FS,LF MOSFET N-CH 20V 200MA SSM Toshiba Semiconductor and Storage	129 148 W magazynie	1 : 0,79000 zł Taśma cięta (CT) 3 000 : 0,15537 zł Taśma i szpula (TR)	U-MOSIII	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Aktywny	Kanał N	MOSFET (tlenek metalu)	20 V	200mA (Ta)	1,5V, 4,5V	2,2Ohm przy 100mA, 4,5V	1V przy 1mA	-	±10V	12 pF @ 10 V	-	100mW (Ta)	150°C (TA)	-	-	Montaż powierzchniowy	SSM	SC-75, SOT-416
2N7002ET1G MOSFET N-CH 60V 260MA SOT23-3 onsemi	35 829 W magazynie	1 : 0,79000 zł Taśma cięta (CT) 3 000 : 0,14982 zł Taśma i szpula (TR)	-	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Aktywny	Kanał N	MOSFET (tlenek metalu)	60 V	260mA (Ta)	4,5V, 10V	2,5Ohm przy 240mA, 10V	2,5V przy 250µA	0.81 nC @ 5 V	±20V	26.7 pF @ 25 V	-	300mW (Tj)	-55°C - 150°C (TJ)	-	-	Montaż powierzchniowy	SOT-23-3 (TO-236)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
2N7002W-7-F MOSFET N-CH 60V 115MA SOT323 Diodes Incorporated	30 897 W magazynie	1 : 0,79000 zł Taśma cięta (CT) 3 000 : 0,15862 zł Taśma i szpula (TR)	-	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Aktywny	Kanał N	MOSFET (tlenek metalu)	60 V	115mA (Ta)	5V, 10V	7,5Ohm przy 50mA, 5V	2V przy 250µA	-	±20V	50 pF @ 25 V	-	200mW (Ta)	-55°C - 150°C (TJ)	-	-	Montaż powierzchniowy	SOT-323	SC-70, SOT-323
SSM3K35AMFV,L3F MOSFET N-CH 20V 250MA VESM Toshiba Semiconductor and Storage	27 405 W magazynie	1 : 0,79000 zł Taśma cięta (CT) 8 000 : 0,13268 zł Taśma i szpula (TR)	U-MOSIII	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Aktywny	Kanał N	MOSFET (tlenek metalu)	20 V	250mA (Ta)	1,2V, 4,5V	1,1Ohm przy 150mA, 4,5V	1V przy 100µA	0.34 nC @ 4.5 V	±10V	36 pF @ 10 V	-	500mW (Ta)	150°C (TJ)	-	-	Montaż powierzchniowy	VESM	SOT-723
BSS138BK,215 MOSFET N-CH 60V 360MA TO236AB Nexperia USA Inc.	6 000 W magazynie	1 : 0,79000 zł Taśma cięta (CT) 3 000 : 0,15961 zł Taśma i szpula (TR)	TrenchMOS™	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Aktywny	Kanał N	MOSFET (tlenek metalu)	60 V	360mA (Ta)	10V	1,6Ohm przy 350mA, 10V	1,6V przy 250µA	0.7 nC @ 4.5 V	±20V	56 pF @ 10 V	-	350mW (Ta), 1,14W (Tc)	-55°C - 150°C (TJ)	Motoryzacja	AEC-Q101	Montaż powierzchniowy	TO-236AB	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
RU1J002YNTCL MOSFET N-CH 50V 200MA UMT3F Rohm Semiconductor	1 478 893 W magazynie	1 : 0,83000 zł Taśma cięta (CT) 3 000 : 0,16938 zł Taśma i szpula (TR)	-	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Aktywny	Kanał N	MOSFET (tlenek metalu)	50 V	200mA (Ta)	0,9V, 4,5V	2,2Ohm przy 200mA, 4,5V	800mV przy 1mA	-	±8V	26 pF @ 10 V	-	150mW (Ta)	150°C (TJ)	-	-	Montaż powierzchniowy	UMT3F	SC-85
SSM3K72KCT,L3F MOSFET N-CH 60V 400MA CST3 Toshiba Semiconductor and Storage	117 673 W magazynie	1 : 0,83000 zł Taśma cięta (CT) 10 000 : 0,13422 zł Taśma i szpula (TR)	U-MOSVII-H	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Aktywny	Kanał N	MOSFET (tlenek metalu)	60 V	400mA (Ta)	4,5V, 10V	1,5Ohm przy 100mA, 10V	2,1V przy 250µA	0.6 nC @ 4.5 V	±20V	40 pF @ 10 V	-	500mW (Ta)	-55°C - 150°C (TJ)	-	-	Montaż powierzchniowy	CST3	SC-101, SOT-883
BSS84-7-F MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3 Diodes Incorporated	84 493 W magazynie	1 : 0,83000 zł Taśma cięta (CT) 3 000 : 0,15439 zł Taśma i szpula (TR)	-	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Aktywny	Kanał P	MOSFET (tlenek metalu)	50 V	130mA (Ta)	5V	10Ohm przy 100mA, 5V	2V przy 1mA	-	±20V	45 pF @ 25 V	-	300mW (Ta)	-55°C - 150°C (TJ)	-	-	Montaż powierzchniowy	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
2N7002PW,115 MOSFET N-CH 60V 310MA SOT323 Nexperia USA Inc.	12 007 W magazynie	1 : 0,83000 zł Taśma cięta (CT) 3 000 : 0,16451 zł Taśma i szpula (TR)	-	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Nie do nowych projektów	Kanał N	MOSFET (tlenek metalu)	60 V	310mA (Ta)	10V	1,6Ohm przy 500mA, 10V	2,4V przy 250µA	0.8 nC @ 4.5 V	±20V	50 pF @ 10 V	-	260mW (Ta)	-55°C - 150°C (TJ)	Motoryzacja	AEC-Q101	Montaż powierzchniowy	SOT-323	SC-70, SOT-323
BSS123-7-F MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3 Diodes Incorporated	46 449 W magazynie	1 : 0,86000 zł Taśma cięta (CT) 3 000 : 0,17627 zł Taśma i szpula (TR)	-	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Aktywny	Kanał N	MOSFET (tlenek metalu)	100 V	170mA (Ta)	10V	6Ohm przy 170mA, 10V	2V przy 1mA	-	±20V	60 pF @ 25 V	-	300mW (Ta)	-55°C - 150°C (TJ)	-	-	Montaż powierzchniowy	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
2N7002T-7-F MOSFET N-CH 60V 115MA SOT-523 Diodes Incorporated	14 453 W magazynie	1 : 0,86000 zł Taśma cięta (CT) 3 000 : 0,16410 zł Taśma i szpula (TR)	-	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Aktywny	Kanał N	MOSFET (tlenek metalu)	60 V	115mA (Ta)	5V, 10V	7,5Ohm przy 50mA, 5V	2V przy 250µA	-	±20V	50 pF @ 25 V	-	150mW (Ta)	-55°C - 150°C (TJ)	-	-	Montaż powierzchniowy	SOT-523	SOT-523

Wyświetlanie

z 44 391

Pojedyncze tranzystory polowe (FET), MOSFET

Pojedyncze tranzystory polowe (FET) i tranzystory polowe typu metal-tlenek-półprzewodnik (MOSFET) to typy tranzystorów, służące do wzmacniania lub przełączania sygnałów elektronicznych.

Pojedynczy tranzystor polowy (FET) steruje przepływem prądu elektrycznego pomiędzy źródłem i drenem przez pole elektryczne wytwarzane napięciem przyłożonym do zacisku bramki. Główną zaletą tranzystorów polowych jest ich wysoka impedancja wejściowa, dzięki której idealnie sprawdzają się we wzmacnianiu sygnałów i obwodach analogowych. Są one szeroko używane w takich zastosowaniach jak wzmacniacze, oscylatory oraz stopnie buforowe w obwodach elektronicznych.

Tranzystory MOSFET stanowią podgrupę tranzystorów polowych, w której zacisk bramki jest odizolowany od kanału cienką warstwą tlenkową, co poprawia ich parametry działania i zapewnia wysoką sprawność. Tranzystory polowe typu metal-tlenek-półprzewodnik dzielą się na dwie kategorie:

Tranzystory MOSFET z kanałem N: gdzie głównymi nośnikami są elektrony.
Tranzystory MOSFET z kanałem P: gdzie głównymi nośnikami są dziury.

Tranzystory MOSFET są preferowane w wielu zastosowaniach ze względu na niski pobór mocy, szybkość przełączania oraz zdolność do obsługi wysokich prądów i napięć. Odgrywają one kluczową rolę w obwodach analogowych i cyfrowych, takich jak zasilacze, napędy silnikowe oraz zastosowania na częstotliwości radiowe.

Pod względem działania, tranzystory polowe typu metal-tlenek-półprzewodnik (MOSFET) dzielą się na dwie kategorie:

Z kanałem wzbogaconym: tego typu tranzystory MOSFET są normalnie wyłączone, gdy napięcie bramka-źródło wynosi zero. Do włączenia wymagają one dodatniego napięcia bramka-źródło (kanał N) lub ujemnego napięcia bramka-źródło (kanał P).
Z kanałem zubożonym: tego typu tranzystory MOSFET są normalnie włączone, gdy napięcie bramka-źródło wynosi zero. Można je wyłączyć podając napięcie bramka-źródło o przeciwnej polaryzacji.

Do zalet tranzystorów polowych typu metal-tlenek-półprzewodnik (MOSFET) zaliczają się między innymi:

Wysoka sprawność: bardzo niski pobór mocy, szybkie przełączanie stanów, a co za tym idzie wysoka sprawność w zastosowaniach zarządzania zasilaniem.
Niska rezystancja w stanie włączenia: minimalizacja strat mocy i wytwarzania ciepła.
Wysoka impedancja wejściowa: izolowana struktura bramki zapewnia bardzo wysoką impedancję wejściową, idealnie sprawdzającą się we wzmacnianiu sygnałów wysokoimpedancyjnych.

Podsumowując, pojedyncze tranzystory polowe (FET), w szczególności typu metal-tlenek-półprzewodnik (MOSFET), są podstawowymi współczesnymi komponentami elektronicznymi znanymi ze sprawności, szybkości oraz uniwersalności w szerokiej gamie zastosowań, od wzmacniania sygnałów małej mocy, poprzez przełączanie dużych mocy, aż do sterowania.

Pojedyncze tranzystory polowe (FET), MOSFET

Subscribe

Information

Kontakt i wsparcie