Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze

Wyświetlanie

z 45 309

Nr kat. prod.	Ilość dostępna	Cena	Seria	Opakowanie	Status produktu	Typ FET	Technologia	Napięcie dren-źródło (Vdss)	Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	Vgs(th) (maks.) przy Id	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	Vgs (maks.)	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	Charakterystyka FET	Straty mocy (maks.)	Temperatura robocza	Klasa	Kwalifikacja	Typ mocowania	Obudowa dostawcy urządzenia	Obudowa / skrzynia
T2N7002AK,LM MOSFET N-CH 60V 200MA SOT23 Toshiba Semiconductor and Storage	86 157 W magazynie	1 : 0,51000 zł Taśma cięta (CT) 3 000 : 0,09572 zł Taśma i szpula (TR)	U-MOSVII-H	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Aktywny	Kanał N	MOSFET (tlenek metalu)	60 V	200mA (Ta)	4,5V, 10V	3,9Ohm przy 100mA, 10V	2,1V przy 250µA	0.35 nC @ 4.5 V	±20V	17 pF @ 10 V	-	320mW (Ta)	150°C (TJ)	-	-	Montaż powierzchniowy	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
T2N7002BK,LM MOSFET N-CH 60V 400MA SOT23-3 Toshiba Semiconductor and Storage	31 826 W magazynie	1 : 0,55000 zł Taśma cięta (CT) 3 000 : 0,10295 zł Taśma i szpula (TR)	U-MOSVII-H	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Aktywny	Kanał N	MOSFET (tlenek metalu)	60 V	400mA (Ta)	4,5V, 10V	1,5Ohm przy 100mA, 10V	2,1V przy 250µA	0.6 nC @ 4.5 V	±20V	40 pF @ 10 V	-	320mW (Ta)	150°C (TJ)	-	-	Montaż powierzchniowy	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
2N7002 MOSFET N-CH 60V 280MA SOT23-3 Diotec Semiconductor	4 255 W magazynie	1 : 0,55000 zł Taśma cięta (CT) 3 000 : 0,10980 zł Taśma i szpula (TR)	-	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Aktywny	Kanał N	MOSFET (tlenek metalu)	60 V	280mA (Ta)	5V, 10V	5Ohm przy 500mA, 10V	2,5V przy 250µA	-	±30V	50 pF @ 25 V	-	350mW (Ta)	150°C (TJ)	-	-	Montaż powierzchniowy	SOT-23-3 (TO-236)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
2N7002-TP MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23 MCC (Micro Commercial Components)	120 987 W magazynie	1 : 0,59000 zł Taśma cięta (CT) 3 000 : 0,11344 zł Taśma i szpula (TR)	-	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Aktywny	Kanał N	MOSFET (tlenek metalu)	60 V	115mA (Ta)	5V, 10V	7,5Ohm przy 500mA, 10V	2,5V przy 250µA	-	±20V	50 pF @ 25 V	-	1,08W	-55°C - 150°C (TJ)	-	-	Montaż powierzchniowy	SOT-23	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SSM3K72KFS,LF MOSFET N-CH 60V 300MA SSM Toshiba Semiconductor and Storage	98 678 W magazynie	1 : 0,66000 zł Taśma cięta (CT) 3 000 : 0,13063 zł Taśma i szpula (TR)	U-MOSVII-H	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Aktywny	Kanał N	MOSFET (tlenek metalu)	60 V	300mA (Ta)	4,5V, 10V	1,5Ohm przy 100mA, 10V	2,1V przy 250µA	0.6 nC @ 4.5 V	±20V	40 pF @ 10 V	-	150mW (Ta)	150°C	-	-	Montaż powierzchniowy	SSM	SC-75, SOT-416
2N7002-7-F MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3 Diodes Incorporated	81 445 W magazynie	1 : 0,66000 zł Taśma cięta (CT) 3 000 : 0,13329 zł Taśma i szpula (TR)	-	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Aktywny	Kanał N	MOSFET (tlenek metalu)	60 V	115mA (Ta)	5V, 10V	7,5Ohm przy 50mA, 5V	2,5V przy 250µA	-	±20V	50 pF @ 25 V	-	370mW (Ta)	-55°C - 150°C (TJ)	-	-	Montaż powierzchniowy	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
BSS138-TP MOSFET N-CH 50V 220MA SOT23 MCC (Micro Commercial Components)	71 248 W magazynie	1 : 0,66000 zł Taśma cięta (CT) 3 000 : 0,12770 zł Taśma i szpula (TR)	-	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Aktywny	Kanał N	MOSFET (tlenek metalu)	50 V	220mA (Tj)	4,5V, 10V	3,5Ohm przy 220mA, 10V	1,5V przy 1mA	-	±20V	60 pF @ 25 V	-	350mW	-55°C - 150°C (TJ)	-	-	Montaż powierzchniowy	SOT-23	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
BSS138P,215 MOSFET N-CH 60V 360MA TO236AB Nexperia USA Inc.	2 941 W magazynie	1 : 0,66000 zł Taśma cięta (CT) 3 000 : 0,12980 zł Taśma i szpula (TR)	TrenchMOS™	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Aktywny	Kanał N	MOSFET (tlenek metalu)	60 V	360mA (Ta)	10V	1,6Ohm przy 300mA, 10V	1,5V przy 250µA	0.8 nC @ 4.5 V	±20V	50 pF @ 10 V	-	350mW (Ta), 1,14W (Tc)	-55°C - 150°C (TA)	Motoryzacja	AEC-Q101	Montaż powierzchniowy	TO-236AB	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
2N7002WT1G MOSFET N-CH 60V 310MA SC70-3 onsemi	110 177 W magazynie	1 : 0,70000 zł Taśma cięta (CT) 3 000 : 0,13950 zł Taśma i szpula (TR)	-	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Aktywny	Kanał N	MOSFET (tlenek metalu)	60 V	310mA (Ta)	4,5V, 10V	1,6Ohm przy 500mA, 10V	2,5V przy 250µA	0.7 nC @ 4.5 V	±20V	24.5 pF @ 20 V	-	280mW (Tj)	-55°C - 150°C (TJ)	-	-	Montaż powierzchniowy	SC-70-3 (SOT323)	SC-70, SOT-323
BSS84AKW,115 MOSFET P-CH 50V 150MA SOT323 Nexperia USA Inc.	2 010 W magazynie	1 : 0,70000 zł Taśma cięta (CT) 3 000 : 0,13605 zł Taśma i szpula (TR)	TrenchMOS™	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Aktywny	Kanał P	MOSFET (tlenek metalu)	50 V	150mA (Ta)	10V	7,5Ohm przy 100mA, 10V	2,1V przy 250µA	0.35 nC @ 5 V	±20V	36 pF @ 25 V	-	260mW (Ta), 830mW (Tc)	-55°C - 150°C (TJ)	Motoryzacja	AEC-Q101	Montaż powierzchniowy	SOT-323	SC-70, SOT-323
NX3020NAKW,115 MOSFET N-CH 30V 180MA SOT323 Nexperia USA Inc.	1 226 W magazynie	1 : 0,70000 zł Taśma cięta (CT) 3 000 : 0,13605 zł Taśma i szpula (TR)	-	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Aktywny	Kanał N	MOSFET (tlenek metalu)	30 V	180mA (Ta)	2,5V, 10V	4,5Ohm przy 100mA, 10V	1,5V przy 250µA	0.44 nC @ 4.5 V	±20V	13 pF @ 10 V	-	260mW (Ta), 1,1W (Tc)	-55°C - 150°C (TJ)	-	-	Montaż powierzchniowy	SOT-323	SC-70, SOT-323
RE1C002UNTCL MOSFET N-CH 20V 200MA EMT3F Rohm Semiconductor	984 607 W magazynie	1 : 0,73000 zł Taśma cięta (CT) 3 000 : 0,14835 zł Taśma i szpula (TR)	-	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Aktywny	Kanał N	MOSFET (tlenek metalu)	20 V	200mA (Ta)	1,2V, 2,5V	1,2Ohm przy 100mA, 2,5V	1V przy 1mA	-	±8V	25 pF @ 10 V	-	150mW (Ta)	150°C (TJ)	-	-	Montaż powierzchniowy	EMT3F (SOT-416FL)	SC-89, SOT-490
2N7002KT1G MOSFET N-CH 60V 320MA SOT23-3 onsemi	277 523 W magazynie	1 : 0,73000 zł Taśma cięta (CT) 3 000 : 0,14359 zł Taśma i szpula (TR)	-	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Aktywny	Kanał N	MOSFET (tlenek metalu)	60 V	320mA (Ta)	4,5V, 10V	1,6Ohm przy 500mA, 10V	2,3V przy 250µA	0.7 nC @ 4.5 V	±20V	24.5 pF @ 20 V	-	300mW (Ta)	-55°C - 150°C (TJ)	-	-	Montaż powierzchniowy	SOT-23-3 (TO-236)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
BSS138PW,115 MOSFET N-CH 60V 320MA SOT323 Nexperia USA Inc.	199 987 W magazynie	1 : 0,73000 zł Taśma cięta (CT) 3 000 : 0,14902 zł Taśma i szpula (TR)	TrenchMOS™	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Aktywny	Kanał N	MOSFET (tlenek metalu)	60 V	320mA (Ta)	10V	1,6Ohm przy 300mA, 10V	1,5V przy 250µA	0.8 nC @ 4.5 V	±20V	50 pF @ 10 V	-	260mW (Ta), 830mW (Tc)	-55°C - 150°C (TA)	Motoryzacja	AEC-Q101	Montaż powierzchniowy	SOT-323	SC-70, SOT-323
2N7002A-7 MOSFET N-CH 60V 180MA SOT23 Diodes Incorporated	111 605 W magazynie	1 : 0,73000 zł Taśma cięta (CT) 3 000 : 0,14127 zł Taśma i szpula (TR)	-	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Aktywny	Kanał N	MOSFET (tlenek metalu)	60 V	180mA (Ta)	5V, 10V	6Ohm przy 115mA, 5V	2V przy 250µA	-	±20V	23 pF @ 25 V	-	370mW (Ta)	-55°C - 150°C (TJ)	-	-	Montaż powierzchniowy	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SSM3K37FS,LF MOSFET N-CH 20V 200MA SSM Toshiba Semiconductor and Storage	50 259 W magazynie	1 : 0,73000 zł Taśma cięta (CT) 3 000 : 0,14390 zł Taśma i szpula (TR)	U-MOSIII	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Aktywny	Kanał N	MOSFET (tlenek metalu)	20 V	200mA (Ta)	1,5V, 4,5V	2,2Ohm przy 100mA, 4,5V	1V przy 1mA	-	±10V	12 pF @ 10 V	-	100mW (Ta)	150°C (TA)	-	-	Montaż powierzchniowy	SSM	SC-75, SOT-416
BSS84-7-F MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3 Diodes Incorporated	283 881 W magazynie	1 : 0,77000 zł Taśma cięta (CT) 3 000 : 0,15773 zł Taśma i szpula (TR)	-	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Aktywny	Kanał P	MOSFET (tlenek metalu)	50 V	130mA (Ta)	5V	10Ohm przy 100mA, 5V	2V przy 1mA	-	±20V	45 pF @ 25 V	-	300mW (Ta)	-55°C - 150°C (TJ)	-	-	Montaż powierzchniowy	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
2N7002ET1G MOSFET N-CH 60V 260MA SOT23-3 onsemi	216 063 W magazynie	1 : 0,77000 zł Taśma cięta (CT) 3 000 : 0,15306 zł Taśma i szpula (TR)	-	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Aktywny	Kanał N	MOSFET (tlenek metalu)	60 V	260mA (Ta)	4,5V, 10V	2,5Ohm przy 240mA, 10V	2,5V przy 250µA	0.81 nC @ 5 V	±20V	26.7 pF @ 25 V	-	300mW (Tj)	-55°C - 150°C (TJ)	-	-	Montaż powierzchniowy	SOT-23-3 (TO-236)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
DMN63D8L-7 MOSFET N-CH 30V 350MA SOT23 Diodes Incorporated	43 636 W magazynie	1 : 0,77000 zł Taśma cięta (CT) 3 000 : 0,14977 zł Taśma i szpula (TR)	-	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Aktywny	Kanał N	MOSFET (tlenek metalu)	30 V	350mA (Ta)	2,5V, 10V	2,8Ohm przy 250mA, 10V	1,5V przy 250µA	0.9 nC @ 10 V	±20V	23.2 pF @ 25 V	-	350mW (Ta)	-55°C - 150°C (TJ)	-	-	Montaż powierzchniowy	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SSM3K72KCT,L3F MOSFET N-CH 60V 400MA CST3 Toshiba Semiconductor and Storage	8 601 W magazynie	1 : 0,77000 zł Taśma cięta (CT) 10 000 : 0,12430 zł Taśma i szpula (TR)	U-MOSVII-H	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Aktywny	Kanał N	MOSFET (tlenek metalu)	60 V	400mA (Ta)	4,5V, 10V	1,5Ohm przy 100mA, 10V	2,1V przy 250µA	0.6 nC @ 4.5 V	±20V	40 pF @ 10 V	-	500mW (Ta)	-55°C - 150°C (TJ)	-	-	Montaż powierzchniowy	CST3	SC-101, SOT-883
RU1J002YNTCL MOSFET N-CH 50V 200MA UMT3F Rohm Semiconductor	68 259 W magazynie	1 : 0,81000 zł Taśma cięta (CT) 3 000 : 0,16172 zł Taśma i szpula (TR)	-	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Aktywny	Kanał N	MOSFET (tlenek metalu)	50 V	200mA (Ta)	0,9V, 4,5V	2,2Ohm przy 200mA, 4,5V	800mV przy 1mA	-	±8V	26 pF @ 10 V	-	150mW (Ta)	150°C (TJ)	-	-	Montaż powierzchniowy	UMT3F	SC-85
RZM001P02T2L MOSFET P-CH 20V 100MA VMT3 Rohm Semiconductor	47 814 W magazynie	1 : 0,81000 zł Taśma cięta (CT) 8 000 : 0,13837 zł Taśma i szpula (TR)	-	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Aktywny	Kanał P	MOSFET (tlenek metalu)	20 V	100mA (Ta)	1,2V, 4,5V	3,8Ohm przy 100mA, 4,5V	1V przy 100µA	-	±10V	15 pF @ 10 V	-	150mW (Ta)	150°C (TJ)	-	-	Montaż powierzchniowy	VMT3	SOT-723
2N7002LT1G MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3 onsemi	833 423 W magazynie	1 : 0,84000 zł Taśma cięta (CT) 3 000 : 0,16960 zł Taśma i szpula (TR)	-	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Aktywny	Kanał N	MOSFET (tlenek metalu)	60 V	115mA (Tc)	5V, 10V	7,5Ohm przy 500mA, 10V	2,5V przy 250µA	-	±20V	50 pF @ 25 V	-	225mW (Ta)	-55°C - 150°C (TJ)	-	-	Montaż powierzchniowy	SOT-23-3 (TO-236)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
BSS123-7-F MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3 Diodes Incorporated	228 008 W magazynie	1 : 0,84000 zł Taśma cięta (CT) 3 000 : 0,16324 zł Taśma i szpula (TR)	-	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Aktywny	Kanał N	MOSFET (tlenek metalu)	100 V	170mA (Ta)	10V	6Ohm przy 170mA, 10V	2V przy 1mA	-	±20V	60 pF @ 25 V	-	300mW (Ta)	-55°C - 150°C (TJ)	-	-	Montaż powierzchniowy	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
2N7002T-7-F MOSFET N-CH 60V 115MA SOT-523 Diodes Incorporated	172 377 W magazynie	1 : 0,84000 zł Taśma cięta (CT) 3 000 : 0,16765 zł Taśma i szpula (TR)	-	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Aktywny	Kanał N	MOSFET (tlenek metalu)	60 V	115mA (Ta)	5V, 10V	7,5Ohm przy 50mA, 5V	2V przy 250µA	-	±20V	50 pF @ 25 V	-	150mW (Ta)	-55°C - 150°C (TJ)	-	-	Montaż powierzchniowy	SOT-523	SOT-523

Wyświetlanie

z 45 309

Pojedyncze tranzystory polowe (FET), MOSFET

Pojedyncze tranzystory polowe (FET) i tranzystory polowe typu metal-tlenek-półprzewodnik (MOSFET) to typy tranzystorów, służące do wzmacniania lub przełączania sygnałów elektronicznych.

Pojedynczy tranzystor polowy (FET) steruje przepływem prądu elektrycznego pomiędzy źródłem i drenem przez pole elektryczne wytwarzane napięciem przyłożonym do zacisku bramki. Główną zaletą tranzystorów polowych jest ich wysoka impedancja wejściowa, dzięki której idealnie sprawdzają się we wzmacnianiu sygnałów i obwodach analogowych. Są one szeroko używane w takich zastosowaniach jak wzmacniacze, oscylatory oraz stopnie buforowe w obwodach elektronicznych.

Tranzystory MOSFET stanowią podgrupę tranzystorów polowych, w której zacisk bramki jest odizolowany od kanału cienką warstwą tlenkową, co poprawia ich parametry działania i zapewnia wysoką sprawność. Tranzystory polowe typu metal-tlenek-półprzewodnik dzielą się na dwie kategorie:

Tranzystory MOSFET z kanałem N: gdzie głównymi nośnikami są elektrony.
Tranzystory MOSFET z kanałem P: gdzie głównymi nośnikami są dziury.

Tranzystory MOSFET są preferowane w wielu zastosowaniach ze względu na niski pobór mocy, szybkość przełączania oraz zdolność do obsługi wysokich prądów i napięć. Odgrywają one kluczową rolę w obwodach analogowych i cyfrowych, takich jak zasilacze, napędy silnikowe oraz zastosowania na częstotliwości radiowe.

Pod względem działania, tranzystory polowe typu metal-tlenek-półprzewodnik (MOSFET) dzielą się na dwie kategorie:

Z kanałem wzbogaconym: tego typu tranzystory MOSFET są normalnie wyłączone, gdy napięcie bramka-źródło wynosi zero. Do włączenia wymagają one dodatniego napięcia bramka-źródło (kanał N) lub ujemnego napięcia bramka-źródło (kanał P).
Z kanałem zubożonym: tego typu tranzystory MOSFET są normalnie włączone, gdy napięcie bramka-źródło wynosi zero. Można je wyłączyć podając napięcie bramka-źródło o przeciwnej polaryzacji.

Do zalet tranzystorów polowych typu metal-tlenek-półprzewodnik (MOSFET) zaliczają się między innymi:

Wysoka sprawność: bardzo niski pobór mocy, szybkie przełączanie stanów, a co za tym idzie wysoka sprawność w zastosowaniach zarządzania zasilaniem.
Niska rezystancja w stanie włączenia: minimalizacja strat mocy i wytwarzania ciepła.
Wysoka impedancja wejściowa: izolowana struktura bramki zapewnia bardzo wysoką impedancję wejściową, idealnie sprawdzającą się we wzmacnianiu sygnałów wysokoimpedancyjnych.

Podsumowując, pojedyncze tranzystory polowe (FET), w szczególności typu metal-tlenek-półprzewodnik (MOSFET), są podstawowymi współczesnymi komponentami elektronicznymi znanymi ze sprawności, szybkości oraz uniwersalności w szerokiej gamie zastosowań, od wzmacniania sygnałów małej mocy, poprzez przełączanie dużych mocy, aż do sterowania.

Pojedyncze tranzystory polowe (FET), MOSFET

INFORMATION

HELP

CONTACT US

FOLLOW US