Moduły sterowników mocy

Wyniki : 1 105
Opcje zaopatrzenia
Opcje środowiskowe
Nośniki
Pomiń
1 105Wyniki

Wyświetlanie
z 1 105
Nr kat. prod.
Ilość dostępna
Cena
Seria
Opakowanie
Status produktu
Typ
Konfiguracja
Prąd
Napięcie
Napięcie - izolacji
Klasa
Kwalifikacja
Typ mocowania
Obudowa / skrzynia
39-VFQFN
FDMF5062
SMART POWER STAGE 70A 39PQFN
onsemi
3 034
W magazynie
1 : 18,79000 zł
Taśma cięta (CT)
3 000 : 6,90525 zł
Taśma i szpula (TR)
-
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
Aktywny
MOSFET
1 faza
70 A
30 V
-
-
-
Montaż powierzchniowy
39-PowerVFQFN
30-QFN
NV6128
GANFAST SINGLE, 650V, 70MOHMS, P
Navitas Semiconductor, Inc.
3 129
W magazynie
1 : 32,14000 zł
Taśma cięta (CT)
5 000 : 18,39809 zł
Taśma i szpula (TR)
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
Aktywny
MOSFET
Półmostek
20 A
650 V
-
-
-
Montaż powierzchniowy
30-PowerVQFN
CIPOS Series
IKCM30F60GAXKMA1
IFPS MODULE 600V 30A 24PWRDIP
Infineon Technologies
109
W magazynie
1 : 61,42000 zł
Rurka
Rurka
Aktywny
IGBT
3 faza
30 A
600 V
2000Vrms
-
-
Otwór przelotowy
Moduł 24-PowerDIP (1,028", 26,10mm)
SPM27CC
FSBB20CH60C
MODULE SPM 600V 20A 27PWRDIP
onsemi
265
W magazynie
1 : 84,15000 zł
Rurka
Rurka
Nie do nowych projektów
IGBT
3 faza
20 A
600 V
2500Vrms
-
-
Otwór przelotowy
Moduł 27-PowerDIP (1,205", 30,60mm)
STK541UC62K-E
STK541UC62K-E
MOD IPM 600V 10A 23PWRSIP
onsemi
160
W magazynie
1 : 87,09000 zł
Rurka
-
Rurka
Nie do nowych projektów
IGBT
3 faza
10 A
600 V
2000Vrms
-
-
Otwór przelotowy
Moduł 23-PowerSIP, 19 odprowadzeń formowanych
52 VQFN
LMG3522R030RQSR
650-V 30-M GAN FET WITH INTEGRAT
Texas Instruments
1 464
W magazynie
1 : 96,50000 zł
Taśma cięta (CT)
2 000 : 48,31733 zł
Taśma i szpula (TR)
-
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
Aktywny
MOSFET
Falownik półmostka
55 A
650 V
-
-
-
Montaż powierzchniowy
52-VQFN, podkładka odsłonięta
27-DIP Module
FNB34060T
PWR DRVR MOD 600V 40A 27PWRDIP
onsemi
290
W magazynie
240
Fabryka
1 : 105,24000 zł
Rurka
Rurka
Aktywny
IGBT
Falownik 3-fazowy
40 A
600 V
2500Vrms
-
-
Otwór przelotowy
Moduł 27-PowerDIP (1,205", 30,60mm)
LMG3526R030RQST
LMG3522R030QRQSTQ1
AUTOMOTIVE 650-V 30-M GAN FET WI
Texas Instruments
176
W magazynie
1 : 132,58000 zł
Taśma cięta (CT)
250 : 91,46988 zł
Taśma i szpula (TR)
-
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
Aktywny
MOSFET
Falownik półmostka
55 A
650 V
-
Motoryzacja
AEC-Q100
Montaż powierzchniowy, bok zwilżany
52-VQFN, podkładka odsłonięta
IM818LCCXKMA1-VIEW-B
IM818LCCXKMA1
CIPOS MAXI 1200V 15A PG-MDIP-24
Infineon Technologies
291
W magazynie
1 : 137,16000 zł
Rurka
Rurka
Aktywny
IGBT
Falownik 3-fazowy
20 A
1.2 kV
2500Vrms
-
-
Otwór przelotowy
Moduł 24-PowerDIP (1,094", 27,80mm)
CIPOS-Mini_24
IM828XCCXKMA1
CIPOS MAXI 1200V 35A PG-MDIP-24
Infineon Technologies
166
W magazynie
1 : 323,34000 zł
Rurka
Rurka
Aktywny
MOSFET
Falownik 3-fazowy
35 A
1.2 kV
2500Vrms
-
-
Otwór przelotowy
Moduł 24-PowerDIP (1,094", 27,80mm)
30-QFN
NV6127
IC PWR GANFAST N-CH 1:1 30QFN
Navitas Semiconductor, Inc.
3 930
W magazynie
1 : 21,95000 zł
Taśma cięta (CT)
5 000 : 11,43900 zł
Taśma i szpula (TR)
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
Aktywny
MOSFET
Półmostek
12 A
650 V
-
-
-
Montaż powierzchniowy
30-PowerVQFN
162
W magazynie
1 : 38,99000 zł
Rurka
Rurka
Aktywny
IGBT
3 faza
10 A
600 V
2000Vrms
-
-
Otwór przelotowy
Moduł 24-PowerDIP (1,028", 26,10mm)
554
W magazynie
1 : 39,39000 zł
Rurka
Rurka
Aktywny
IGBT
3 faza
15 A
600 V
2000Vrms
-
-
Otwór przelotowy
Moduł 24-PowerDIP (1,028", 26,10mm)
205
W magazynie
1 : 43,64000 zł
Rurka
Rurka
Aktywny
IGBT
3 faza
15 A
600 V
2000Vrms
-
-
Otwór przelotowy
Moduł 24-PowerDIP (1,028", 26,10mm)
CIPOS Series
IGCM20F60GAXKMA1
IGBT 600V 20A 24PWRDIP MOD
Infineon Technologies
279
W magazynie
1 : 50,59000 zł
Rurka
Rurka
Aktywny
IGBT
3 faza
20 A
600 V
2000Vrms
-
-
Otwór przelotowy
Moduł 24-PowerDIP (1,028", 26,10mm)
FNx4x060x2
FNB41060B2
IGBT 3PH 600V 10A MODULE
onsemi
125
W magazynie
1 : 55,99000 zł
Rurka
Rurka
Nie do nowych projektów
IGBT
3 faza
10 A
600 V
2000Vrms
-
-
Otwór przelotowy
Moduł 26-PowerDIP (1,024", 26,00mm)
FNx4x060x2
FNB41560
MODULE SPM 600V 15A 26PWRDIP
onsemi
212
W magazynie
1 : 57,33000 zł
Rurka
Rurka
Nie do nowych projektów
IGBT
3 faza
15 A
600 V
2000Vrms
-
-
Otwór przelotowy
Moduł 26-PowerDIP (1,024", 26,00mm)
CIPOS Series
IKCM20L60GDXKMA1
IFPS MODULE 600V 20A 24PWRDIP
Infineon Technologies
184
W magazynie
1 : 58,55000 zł
Rurka
Rurka
Aktywny
IGBT
3 faza
20 A
600 V
2000Vrms
-
-
Otwór przelotowy
Moduł 24-PowerDIP (1,028", 26,10mm)
CIPOS Series
IKCM20R60GDXKMA1
IFPS MODULE 600V 20A 24PWRDIP
Infineon Technologies
180
W magazynie
1 : 61,45000 zł
Rurka
Rurka
Aktywny
IGBT
2 faza
20 A
600 V
2000Vrms
-
-
Otwór przelotowy
Moduł 24-PowerDIP (1,028", 26,10mm)
CIPOS Series
IKCM30F60GDXKMA1
IFPS MODULE 600V 30A 24PWRDIP
Infineon Technologies
208
W magazynie
1 : 68,41000 zł
Rurka
Rurka
Aktywny
IGBT
3 faza
30 A
600 V
2000Vrms
-
-
Otwór przelotowy
Moduł 24-PowerDIP (1,028", 26,10mm)
123
W magazynie
1 : 76,19000 zł
Rurka
Rurka
Aktywny
MOSFET
Falownik 3-fazowy
20 A
600 V
2000Vrms
-
-
Otwór przelotowy
Moduł 24-PowerDIP (1,028", 26,10mm)
245
W magazynie
1 : 158,06000 zł
Rurka
Rurka
Aktywny
IGBT
Falownik 3-fazowy
30 A
1.2 kV
2500Vrms
-
-
Otwór przelotowy
Moduł 24-PowerDIP (1,094", 27,80mm)
FNA21012A
FNA25060
MOD SPM 600V 50A SPMCA-A34
onsemi
36
W magazynie
18 984
Fabryka
1 : 250,02000 zł
Rurka
Rurka
Aktywny
IGBT
3 faza
50 A
600 V
2500Vrms
-
-
Otwór przelotowy
Moduł 34-PowerDIP (1,480", 37,60mm)
2SP0430T2A0C-FF1800R17IP5
2SP0430T2A0C-FF1800R17IP5
SCALE-2 PNP DUAL GATE DRVR 1.7KV
Power Integrations
558
W magazynie
1 : 796,01000 zł
Taca
Taca
Aktywny
IGBT
Falownik 3-fazowy
1800 A
1.7 kV
5000Vrms
-
-
-
Moduł
22-QFN
AOZ5507QI_2
25V/30A 5X5 DRMOS POWER MODULE
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
8 700
W magazynie
1 : 9,60000 zł
Taśma cięta (CT)
5 000 : 2,76675 zł
Taśma i szpula (TR)
-
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
Aktywny
MOSFET
1 faza
30 A
-
-
-
-
Montaż powierzchniowy
Moduł 22-PowerVFQFN
Wyświetlanie
z 1 105

Moduły sterowników mocy


Moduły sterowników mocy stanowią fizycznie zamknięte układy zawierające podzespoły zasilające, zwykle tranzystory IGBT i MOSFET w konfiguracjach półmostkowych bądź jedno-, dwu- lub trójfazowych. Półprzewodniki mocy są przylutowane do podłoża nośnego półprzewodnika, które zapewnia kontakt elektryczny i termiczny, a także izolację elektryczną, gdy to konieczne. Moduły mocy charakteryzują się wyższą gęstością mocy i w wielu przypadkach również wyższą niezawodnością i łatwością chłodzenia.