Moduły sterowników mocy

Wyniki : 1 080
Opcje zaopatrzenia
Opcje środowiskowe
Nośniki
Pomiń
1 080Wyniki

Wyświetlanie
z 1 080
Nr kat. prod.
Ilość dostępna
Cena
Seria
Opakowanie
Status produktu
Typ
Konfiguracja
Prąd
Napięcie
Napięcie - izolacji
Klasa
Kwalifikacja
Typ mocowania
Obudowa / skrzynia
52 VQFN
MOSFET IPM 650V 55A 52-VQFN
Texas Instruments
2 120
W magazynie
1 : 78,96000 zł
Taśma cięta (CT)
2 000 : 49,66599 zł
Taśma i szpula (TR)
-
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
Aktywny
MOSFET
Falownik półmostka
55 A
650 V
-
-
-
Montaż powierzchniowy
52-VQFN, podkładka odsłonięta
SPM27CC
IGBT IPM 600V 20A 27-PWRDIP MOD
onsemi
357
W magazynie
1 : 81,22000 zł
Rurka
Rurka
Aktywny
IGBT
3 faza
20 A
600 V
2500Vrms
-
-
Otwór przelotowy
Moduł 27-PowerDIP, odpr. odgięte
SPM27CC
IGBT IPM 600V 30A 27-PWRDIP MOD
onsemi
563
W magazynie
1 : 92,18000 zł
Rurka
Rurka
Nie do nowych projektów
IGBT
3 faza
30 A
600 V
2500Vrms
-
-
Otwór przelotowy
Moduł 27-PowerDIP, odpr. odgięte
CIPOS-Mini_24
MOSFET IPM 1.2KV 35A 24-PWRDIP
Infineon Technologies
222
W magazynie
1 : 393,26000 zł
Rurka
Rurka
Nie do nowych projektów
MOSFET
Falownik 3-fazowy
35 A
1.2 kV
2500Vrms
-
-
Otwór przelotowy
Moduł 24-PowerDIP, odpr. odgięte
39-VFQFN
MOSFET IPM 30V 70A 39-PWRVFQFN
onsemi
2 537
W magazynie
1 : 19,03000 zł
Taśma cięta (CT)
3 000 : 6,66542 zł
Taśma i szpula (TR)
-
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
Aktywny
MOSFET
1 faza
70 A
30 V
-
-
-
Montaż powierzchniowy
39-PowerVFQFN
FSB50550AS
IPM SPM5 V4 RC 600V 4A
onsemi
1 272
W magazynie
1 : 29,52000 zł
Taśma cięta (CT)
450 : 17,51529 zł
Taśma i szpula (TR)
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
Aktywny
IGBT
Falownik 3-fazowy
4 A
600 V
1500Vrms
-
-
Montaż powierzchniowy
-
30-QFN
MOSFET IPM 650V 20A 30-PWRVQFN
Navitas Semiconductor, Inc.
2 851
W magazynie
1 : 31,96000 zł
Taśma cięta (CT)
5 000 : 18,29181 zł
Taśma i szpula (TR)
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
Aktywny
MOSFET
Półmostek
20 A
650 V
-
-
-
Montaż powierzchniowy
30-PowerVQFN
230
W magazynie
1 : 35,23000 zł
Rurka
-
Rurka
Nie do nowych projektów
IGBT
Falownik 3-fazowy
5 A
600 V
2000Vrms
-
-
Otwór przelotowy
Moduł 23-PowerDIP (0,748", 19,00mm)
CIPOS Series
IGBT IPM 600V 10A 24-PWRDIP MOD
Infineon Technologies
203
W magazynie
1 : 46,43000 zł
Rurka
Rurka
Nie do nowych projektów
IGBT
3 faza
10 A
600 V
2000Vrms
-
-
Otwór przelotowy
Moduł 24-PowerDIP, odpr. odgięte
CIPOS Series
IGBT IPM 600V 15A 24-PWRDIP MOD
Infineon Technologies
302
W magazynie
1 : 50,95000 zł
Rurka
Rurka
Aktywny
IGBT
3 faza
15 A
600 V
2000Vrms
-
-
Otwór przelotowy
Moduł 24-PowerDIP, odpr. odgięte
26 PowerDIP
IGBT IPM 600V 15A 26-PWRDIP MOD
STMicroelectronics
325
W magazynie
1 : 52,03000 zł
Rurka
Rurka
Aktywny
IGBT
Falownik 3-fazowy
15 A
600 V
1500Vrms
-
-
Otwór przelotowy
Moduł 26-PowerDIP (1,157", 29,40mm)
FNx4x060x2
IGBT IPM 600V 15A 26-PWRDIP MOD
onsemi
709
W magazynie
1 : 55,33000 zł
Rurka
Rurka
Nie do nowych projektów
IGBT
3 faza
15 A
600 V
2000Vrms
-
-
Otwór przelotowy
Moduł 26-PowerDIP (1,024", 26,00mm)
FNx4x060x2
IGBT IPM 600V 10A 26-PWRDIP MOD
onsemi
247
W magazynie
1 : 55,33000 zł
Rurka
Rurka
Aktywny
IGBT
3 faza
10 A
600 V
2000Vrms
-
-
Otwór przelotowy
Moduł 26-PowerDIP (1,024", 26,00mm)
38-PowerDIP-Module-24-Leads
IGBT IPM 600V 15A 38-PWRDIP MOD
onsemi
374
W magazynie
800
Fabryka
1 : 74,62000 zł
Rurka
-
Rurka
Aktywny
IGBT
Falownik 3-fazowy
15 A
600 V
2000Vrms
-
-
Otwór przelotowy
Moduł 38-PowerDIP, odpr. odgięte, 24 odpr.
CIPOS Series
IGBT IPM 600V 30A 24-PWRDIP MOD
Infineon Technologies
273
W magazynie
1 : 79,90000 zł
Rurka
Rurka
Aktywny
IGBT
3 faza
30 A
600 V
2000Vrms
-
-
Otwór przelotowy
Moduł 24-PowerDIP, odpr. odgięte
1 397
W magazynie
1 : 86,54000 zł
Rurka
Rurka
Aktywny
IGBT
3 faza
30 A
600 V
2000Vrms
-
-
Otwór przelotowy
-
24-PowerDIP Module (1.028", 26.10mm)
IGBT IPM 600V 35A 24-PWRDIP MOD
Infineon Technologies
280
W magazynie
1 : 90,45000 zł
Rurka
Rurka
Aktywny
IGBT
Falownik 3-fazowy
35 A
600 V
2000Vrms
-
-
Otwór przelotowy
Moduł 24-PowerDIP, odpr. odgięte
27-DIP Module
IGBT IPM 600V 40A 27-PWRDIP MOD
onsemi
963
W magazynie
240
Fabryka
1 : 101,58000 zł
Rurka
Rurka
Aktywny
IGBT
Falownik 3-fazowy
40 A
600 V
2500Vrms
-
-
Otwór przelotowy
Moduł 27-PowerDIP, odpr. odgięte
LMG3526R030RQST
MOSFET IPM 650V 55A 52-VQFN
Texas Instruments
262
W magazynie
1 : 113,79000 zł
Taśma cięta (CT)
250 : 85,50168 zł
Taśma i szpula (TR)
-
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
Aktywny
MOSFET
Falownik półmostka
55 A
650 V
-
-
-
Montaż powierzchniowy, bok zwilżany
52-VQFN, podkładka odsłonięta
IM12B20EC1XKMA1
IGBT IPM 1.2KV 30A 24-PWRDIP MOD
Infineon Technologies
272
W magazynie
1 : 122,41000 zł
Rurka
Rurka
Aktywny
IGBT
Falownik 3-fazowy
30 A
1.2 kV
2500Vrms
-
-
Otwór przelotowy
Moduł 24-PowerDIP, odpr. odgięte
FNB34060T6
IGBT IPM 1.2KV 30A 27-PWRDIP MOD
onsemi
180
W magazynie
1 : 128,55000 zł
Rurka
-
Rurka
Aktywny
IGBT
Falownik 3-fazowy
30 A
1.2 kV
2500Vrms
-
-
Otwór przelotowy
Moduł 27-PowerDIP, odpr. odgięte
LMG3526R030RQST
MOSFET IPM 650V 55A 52-VQFN
Texas Instruments
230
W magazynie
1 : 131,82000 zł
Taśma cięta (CT)
250 : 90,94160 zł
Taśma i szpula (TR)
-
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
Aktywny
MOSFET
Falownik półmostka
55 A
650 V
-
Motoryzacja
AEC-Q100
Montaż powierzchniowy, bok zwilżany
52-VQFN, podkładka odsłonięta
NFVA35065L32
IGBT IPM 650V 50A 27-PWRDIP MOD
onsemi
105
W magazynie
1 : 156,09000 zł
Rurka
Rurka
Aktywny
IGBT
Falownik 3-fazowy
50 A
650 V
2500Vrms
Motoryzacja
-
Otwór przelotowy
Moduł 27-PowerDIP, odpr. odgięte
IM12S60EA2XKMA1
MOSFET IPM 1.2KV 25A 24-PWRDIP
Infineon Technologies
142
W magazynie
1 : 167,80000 zł
Rurka
Rurka
Aktywny
MOSFET
Falownik 3-fazowy
25 A
1.2 kV
2500Vrms
-
-
Otwór przelotowy
Moduł 24-PowerDIP, odpr. odgięte
NFAL7565L4BT
IGBT IPM 650V 75A 31-PWRDIP MOD
onsemi
46
W magazynie
1 : 218,28000 zł
Rurka
Rurka
Aktywny
IGBT
Falownik 3-fazowy
75 A
650 V
2500Vrms
-
-
Otwór przelotowy
Moduł 31-PowerDIP (1,385", 35,17mm)
Wyświetlanie
z 1 080

Moduły sterowników mocy


Moduły sterowników mocy stanowią fizycznie zamknięte układy zawierające podzespoły zasilające, zwykle tranzystory IGBT i MOSFET w konfiguracjach półmostkowych bądź jedno-, dwu- lub trójfazowych. Półprzewodniki mocy są przylutowane do podłoża nośnego półprzewodnika, które zapewnia kontakt elektryczny i termiczny, a także izolację elektryczną, gdy to konieczne. Moduły mocy charakteryzują się wyższą gęstością mocy i w wielu przypadkach również wyższą niezawodnością i łatwością chłodzenia.