Moduły sterowników mocy

Wyniki : 1 109
Opcje zaopatrzenia
Opcje środowiskowe
Nośniki
Pomiń
1 109Wyniki

Wyświetlanie
z 1 109
Nr kat. prod.
Ilość dostępna
Cena
Seria
Opakowanie
Status produktu
Typ
Konfiguracja
Prąd
Napięcie
Napięcie - izolacji
Klasa
Kwalifikacja
Typ mocowania
Obudowa / skrzynia
39-VFQFN
MOSFET IPM 30V 70A 39-PWRVFQFN
onsemi
3 108
W magazynie
1 : 17,98000 zł
Taśma cięta (CT)
3 000 : 6,60769 zł
Taśma i szpula (TR)
-
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
Aktywny
MOSFET
1 faza
70 A
30 V
-
-
-
Montaż powierzchniowy
39-PowerVFQFN
FSB50550AS
IPM SPM5 V4 RC 600V 4A
onsemi
387
W magazynie
1 : 28,41000 zł
Taśma cięta (CT)
450 : 17,36358 zł
Taśma i szpula (TR)
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
Aktywny
IGBT
Falownik 3-fazowy
4 A
600 V
1500Vrms
-
-
Montaż powierzchniowy
-
CIPOS Series
IGBT IPM 600V 30A 24-PWRDIP MOD
Infineon Technologies
1 388
W magazynie
1 : 59,64296 zł
Rurka
Rurka
Aktywny
IGBT
3 faza
30 A
600 V
2000Vrms
-
-
Otwór przelotowy
Moduł 24-PowerDIP (1,028", 26,10mm)
740
W magazynie
1 : 70,19715 zł
Rurka
Rurka
Aktywny
IGBT
3 faza
30 A
600 V
2000Vrms
-
-
Otwór przelotowy
-
STK541UC62K-E
IGBT IPM 600V 10A 23-PWRSIP MOD
onsemi
259
W magazynie
1 : 84,56000 zł
Rurka
-
Rurka
Nie do nowych projektów
IGBT
3 faza
10 A
600 V
2000Vrms
-
-
Otwór przelotowy
Moduł 23-PowerSIP. 19 odpr., odprowadzenia formowane
52 VQFN
MOSFET IPM 650V 55A 52-VQFN
Texas Instruments
511
W magazynie
1 : 92,34000 zł
Taśma cięta (CT)
2 000 : 46,23527 zł
Taśma i szpula (TR)
-
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
Aktywny
MOSFET
Falownik półmostka
55 A
650 V
-
-
-
Montaż powierzchniowy
52-VQFN, podkładka odsłonięta
IM818LCCXKMA1-VIEW-B
IGBT IPM 1.2KV 20A 24-PWRDIP MOD
Infineon Technologies
173
W magazynie
535
Marketplace
1 : 93,80000 zł
Rurka
14 : 75,21643 zł
Zbiorcze
Zbiorcze
Rurka
Aktywny
IGBT
Falownik 3-fazowy
20 A
1.2 kV
2500Vrms
-
-
Otwór przelotowy
Moduł 24-PowerDIP (1,094", 27,80mm)
27-DIP Module
IGBT IPM 600V 40A 27-PWRDIP MOD
onsemi
369
W magazynie
240
Fabryka
1 : 102,19000 zł
Rurka
Rurka
Aktywny
IGBT
Falownik 3-fazowy
40 A
600 V
2500Vrms
-
-
Otwór przelotowy
Moduł 27-PowerDIP (1,205", 30,60mm)
LMG3526R030RQST
MOSFET IPM 650V 55A 52-VQFN
Texas Instruments
266
W magazynie
1 : 128,74000 zł
Taśma cięta (CT)
250 : 88,82168 zł
Taśma i szpula (TR)
-
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
Aktywny
MOSFET
Falownik półmostka
55 A
650 V
-
Motoryzacja
AEC-Q100
Montaż powierzchniowy, bok zwilżany
52-VQFN, podkładka odsłonięta
NFAM3812SCBUT
MOSFET IPM 1.2KV 70A 39-PWRDIP
onsemi
68
W magazynie
1 : 303,61000 zł
Rurka
-
Rurka
Aktywny
MOSFET
Falownik 3-fazowy
70 A
1.2 kV
2500Vrms
-
-
Otwór przelotowy
Moduł 39-PowerDIP (1,413", 35,90mm), 30 odpr.
CIPOS-Mini_24
MOSFET IPM 1.2KV 35A 24-PWRDIP
Infineon Technologies
257
W magazynie
1 : 307,70000 zł
Rurka
Rurka
Aktywny
MOSFET
Falownik 3-fazowy
35 A
1.2 kV
2500Vrms
-
-
Otwór przelotowy
Moduł 24-PowerDIP (1,094", 27,80mm)
30-QFN
MOSFET IPM 650V 12A 30-PWRVQFN
Navitas Semiconductor, Inc.
3 656
W magazynie
1 : 21,00000 zł
Taśma cięta (CT)
5 000 : 10,94608 zł
Taśma i szpula (TR)
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
Aktywny
MOSFET
Półmostek
12 A
650 V
-
-
-
Montaż powierzchniowy
30-PowerVQFN
30-QFN
MOSFET IPM 650V 20A 30-PWRVQFN
Navitas Semiconductor, Inc.
2 876
W magazynie
1 : 30,76000 zł
Taśma cięta (CT)
5 000 : 16,68609 zł
Taśma i szpula (TR)
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
Aktywny
MOSFET
Półmostek
20 A
650 V
-
-
-
Montaż powierzchniowy
30-PowerVQFN
167
W magazynie
1 : 31,39000 zł
Rurka
-
Rurka
Nie do nowych projektów
IGBT
Falownik 3-fazowy
5 A
600 V
2000Vrms
-
-
Otwór przelotowy
Moduł 23-PowerDIP (0,748", 19,00mm)
CIPOS Series
IGBT IPM 600V 10A 24-PWRDIP MOD
Infineon Technologies
249
W magazynie
1 : 33,50000 zł
Rurka
Rurka
Aktywny
IGBT
3 faza
10 A
600 V
2000Vrms
-
-
Otwór przelotowy
Moduł 24-PowerDIP (1,028", 26,10mm)
24-PowerDIP Module (1.028", 26.10mm)
IGBT IPM 650V 30A 24-PWRDIP MOD
Infineon Technologies
135
W magazynie
1 : 34,14000 zł
Taca
Taca
Aktywny
IGBT
Falownik 3-fazowy
30 A
650 V
2000Vrms
-
-
Otwór przelotowy
Moduł 24-PowerDIP (1,028", 26,10mm)
CIPOS Series
IGBT IPM 600V 10A 24-PWRDIP MOD
Infineon Technologies
704
W magazynie
1 : 37,86000 zł
Rurka
Rurka
Aktywny
IGBT
3 faza
10 A
600 V
2000Vrms
-
-
Otwór przelotowy
Moduł 24-PowerDIP (1,028", 26,10mm)
CIPOS Series
IGBT IPM 600V 15A 24-PWRDIP MOD
Infineon Technologies
397
W magazynie
1 : 38,25000 zł
Rurka
Rurka
Aktywny
IGBT
3 faza
15 A
600 V
2000Vrms
-
-
Otwór przelotowy
Moduł 24-PowerDIP (1,028", 26,10mm)
CIPOS Series
IGBT IPM 600V 15A 24-PWRDIP MOD
Infineon Technologies
158
W magazynie
1 : 40,53000 zł
Rurka
Rurka
Aktywny
IGBT
3 faza
15 A
600 V
2000Vrms
-
-
Otwór przelotowy
Moduł 24-PowerDIP (1,028", 26,10mm)
CIPOS Series
IGBT IPM 600V 20A 24-PWRDIP MOD
Infineon Technologies
248
W magazynie
1 : 49,13000 zł
Rurka
Rurka
Aktywny
IGBT
3 faza
20 A
600 V
2000Vrms
-
-
Otwór przelotowy
Moduł 24-PowerDIP (1,028", 26,10mm)
26 PowerDIP
IGBT IPM 600V 20A 26-PWRDIP MOD
STMicroelectronics
227
W magazynie
1 : 49,49000 zł
Rurka
Rurka
Aktywny
IGBT
Falownik 3-fazowy
20 A
600 V
1500Vrms
-
-
Otwór przelotowy
Moduł 26-PowerDIP (1,157", 29,40mm)
26 PowerDIP
IGBT IPM 600V 25A 26-PWRDIP MOD
STMicroelectronics
200
W magazynie
1 : 53,79000 zł
Rurka
Rurka
Aktywny
IGBT
Falownik 3-fazowy
25 A
600 V
1500Vrms
-
-
Otwór przelotowy
Moduł 26-PowerDIP (1,157", 29,40mm)
FNx4x060x2
IGBT IPM 600V 10A 26-PWRDIP MOD
onsemi
288
W magazynie
1 : 54,85000 zł
Rurka
Rurka
Aktywny
IGBT
3 faza
10 A
600 V
2000Vrms
-
-
Otwór przelotowy
Moduł 26-PowerDIP (1,024", 26,00mm)
CIPOS Series
IGBT IPM 600V 20A 24-PWRDIP MOD
Infineon Technologies
127
W magazynie
1 : 56,86000 zł
Rurka
Rurka
Aktywny
IGBT
3 faza
20 A
600 V
2000Vrms
-
-
Otwór przelotowy
Moduł 24-PowerDIP (1,028", 26,10mm)
CIPOS Series
IGBT IPM 600V 20A 24-PWRDIP MOD
Infineon Technologies
230
W magazynie
1 : 59,68000 zł
Rurka
Rurka
Aktywny
IGBT
2 faza
20 A
600 V
2000Vrms
-
-
Otwór przelotowy
Moduł 24-PowerDIP (1,028", 26,10mm)
Wyświetlanie
z 1 109

Moduły sterowników mocy


Moduły sterowników mocy stanowią fizycznie zamknięte układy zawierające podzespoły zasilające, zwykle tranzystory IGBT i MOSFET w konfiguracjach półmostkowych bądź jedno-, dwu- lub trójfazowych. Półprzewodniki mocy są przylutowane do podłoża nośnego półprzewodnika, które zapewnia kontakt elektryczny i termiczny, a także izolację elektryczną, gdy to konieczne. Moduły mocy charakteryzują się wyższą gęstością mocy i w wielu przypadkach również wyższą niezawodnością i łatwością chłodzenia.