XP4509AGM YAGEO XSEMI | Półprzewodniki dyskretne

XP4509AGM jest przestarzałe i nie jest już produkowane.

Dostępne zamienniki:

MFR Recommended

YAGEO XSEMI

W magazynie: 0

Cena jednostkowa : 0,00000 zł

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

XP4509AGM
Numer produktu DigiKey	5048-XP4509AGMTR-ND - Taśma i szpula (TR) 5048-XP4509AGMCT-ND - Taśma cięta (CT) 5048-XP4509AGMDKR-ND - Digi-Reel®
Producent	YAGEO XSEMI
Numer produktu producenta	XP4509AGM
Opis	MOSFET N/P-CH 30V 11.2A 8SO
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	MOSFET - układy 30V 11,2A (Ta), 8A (Ta) 2W (Ta) Montaż powierzchniowy 8-SO
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Układy tranzystorów FET, MOSFET
Producent	YAGEO XSEMI
Seria	XP4509A
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Nieaktualne
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Konfiguracja	Kanał N i P
Charakterystyka FET	-
Napięcie dren-źródło (Vdss)	30V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	11,2A (Ta), 8A (Ta)
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	10mOhm przy 10A, 10V, 21mOhm przy 7A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	3V przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	19,2nC przy 4,5V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	1140pF przy 25V, 2000pF przy 25V
Moc - maks.	2W (Ta)
Temperatura robocza	-55°C - 150°C (TJ)
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa / skrzynia	8-SOIC (szerokość 0,154", 3,90mm)
Obudowa dostawcy urządzenia	8-SO