XP2530AGY YAGEO XSEMI | Półprzewodniki dyskretne

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

XP2530AGY
Numer produktu DigiKey	5048-XP2530AGYTR-ND - Taśma i szpula (TR) 5048-XP2530AGYCT-ND - Taśma cięta (CT) 5048-XP2530AGYDKR-ND - Digi-Reel®
Producent	YAGEO XSEMI
Numer produktu producenta	XP2530AGY
Opis	MOSFET N/P-CH 30V 3.3A SOT26
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	MOSFET - układy 30V 3,3A (Ta), 2,3A (Ta) 1,136W (Ta) Montaż powierzchniowy SOT-26
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Układy tranzystorów FET, MOSFET
Producent	YAGEO XSEMI
Seria	-
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Nieaktualne
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Konfiguracja	Kanał N i P
Charakterystyka FET	-
Napięcie dren-źródło (Vdss)	30V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	3,3A (Ta), 2,3A (Ta)
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	72mOhm przy 3A, 10V, 150mOhm przy 2A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	3V przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	4,5nC przy 4,5V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	320pF przy 15V, 260pF przy 15V
Moc - maks.	1,136W (Ta)
Temperatura robocza	-55°C - 150°C (TJ)
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa / skrzynia	SOT-23-6
Obudowa dostawcy urządzenia	SOT-26