Name: XP10TN135H
Brand: YAGEO XSEMI
SKU: 5048-XP10TN135HTR-ND
Price: 2.8659 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

XP10TN135H
Numer produktu DigiKey	5048-XP10TN135HTR-ND - Taśma i szpula (TR) 5048-XP10TN135HCT-ND - Taśma cięta (CT) 5048-XP10TN135HDKR-ND - Digi-Reel®
Producent	YAGEO XSEMI
Numer produktu producenta	XP10TN135H
Opis	MOSFET N-CH 100V 8.1A TO252
Standardowy czas realizacji przez producenta	16 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 100 V 8,1A (Tc) 2W (Ta), 20,8W (Tc) Montaż powierzchniowy TO-252
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 135mOhm przy 5A, 10V
Prod. YAGEO XSEMI	Vgs(th) (maks.) przy Id 3V przy 250µA
Seria XP10TN135	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 17.6 nC @ 10 V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Vgs (maks.) ±20V
Status części Aktywny	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 928 pF @ 50 V
Typ FET Kanał N	Straty mocy (maks.) 2W (Ta), 20,8W (Tc)
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Temperatura robocza -55°C - 150°C (TJ)
Napięcie dren-źródło (Vdss) 100 V	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 8,1A (Tc)	Obudowa dostawcy urządzenia TO-252
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 4,5V, 10V	Obudowa / skrzynia TO-252-3, DPAK (2 odpr. + wypust), SC-63

Zgłoś błąd informacji o produkcie

Dokumenty i media

Klasyfikacje eksportowe i środowiskowe

Dodatkowe zasoby

W magazynie: 1 000

Sprawdź dodatkowe produkty wprowadzane do magazynu

Ilość

Wszystkie ceny podano w PLN

Taśma cięta (CT) & Digi-Reel®

* Do wszystkich zamówień Digi-Reel dodawana jest opłata 27,00 zł za przygotowanie szpuli.

Taśma i szpula (TR)

Opakowanie standardowe producenta

Cena jednostkowa bez VAT:	2,33000 zł
Cena jednostkowa z VAT:	2,86590 zł

XP10TN135H