XP10A250YT YAGEO XSEMI | Półprzewodniki dyskretne

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

XP10A250YT
Numer produktu DigiKey	5048-XP10A250YTTR-ND - Taśma i szpula (TR) 5048-XP10A250YTCT-ND - Taśma cięta (CT) 5048-XP10A250YTDKR-ND - Digi-Reel®
Producent	YAGEO XSEMI
Numer produktu producenta	XP10A250YT
Opis	MOSFET 2N-CH 100V 2.1A PMPAK
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	MOSFET - układy 100V 2,1A (Ta) 2,5W (Ta) Montaż powierzchniowy 8-PMPAK (3x3)
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Układy tranzystorów FET, MOSFET
Producent	YAGEO XSEMI
Seria	XP10A250
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Nieaktualne
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Konfiguracja	2 kanały N (podwójne)
Charakterystyka FET	-
Napięcie dren-źródło (Vdss)	100V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	2,1A (Ta)
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	250mOhm przy 2A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	3V przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	8,8nC przy 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	320pF przy 50V
Moc - maks.	2,5W (Ta)
Temperatura robocza	-55°C - 150°C (TJ)
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa / skrzynia	8-PowerTDFN
Obudowa dostawcy urządzenia	8-PMPAK (3x3)