
C3M0025065D | |
|---|---|
Numer produktu DigiKey | 1697-C3M0025065D-ND |
Producent | |
Numer produktu producenta | C3M0025065D |
Opis | GEN 3 650V 25 M SIC MOSFET |
Standardowy czas realizacji przez producenta | 22 tygodnie |
Numer referencyjny klienta | |
Szczegółowy opis | Kanał N 650 V 97A (Tc) 326W (Tc) Otwór przelotowy TO-247-3 |
Arkusz danych | Arkusz danych |
Modele EDA/CAD | C3M0025065D Modele |
Kategoria | Vgs(th) (maks.) przy Id 3,6V przy 9,22mA |
Prod. | Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 108 nC @ 15 V |
Seria | Vgs (maks.) +19V, -8V |
Opakowanie Rurka | Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 2980 pF @ 600 V |
Status części Aktywny | Straty mocy (maks.) 326W (Tc) |
Typ FET | Temperatura robocza -40°C - 175°C (TJ) |
Technologia | Typ mocowania Otwór przelotowy |
Napięcie dren-źródło (Vdss) 650 V | Obudowa dostawcy urządzenia TO-247-3 |
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C | Obudowa / skrzynia |
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 15V | Bazowy numer produktu |
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 34mOhm przy 33,5A, 15V |
| Numer katalogowy | Producent | Ilość dostępna | Numer produktu DigiKey | Cena jednostkowa | Rodzaj zamiennika |
|---|---|---|---|---|---|
| IMW65R020M2HXKSA1 | Infineon Technologies | 240 | 448-IMW65R020M2HXKSA1-ND | 63,66000 zł | Similar |
| IMW65R026M2HXKSA1 | Infineon Technologies | 415 | 448-IMW65R026M2HXKSA1-ND | 56,12000 zł | Similar |
| MSC015SMA070B | Microchip Technology | 101 | 691-MSC015SMA070B-ND | 64,20000 zł | Similar |
| Ilość | Cena jednostkowa | Wartość |
|---|---|---|
| 1 | 51,42000 zł | 51,42 zł |
| 30 | 31,18000 zł | 935,40 zł |
| 120 | 26,74875 zł | 3 209,85 zł |
| 510 | 24,16537 zł | 12 324,34 zł |
| Cena jednostkowa bez VAT: | 51,42000 zł |
|---|---|
| Cena jednostkowa z VAT: | 63,24660 zł |








