Name: SUM40012EL-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SUM40012EL-GE3TR-ND
Price: 16.5189 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

SUM40012EL-GE3
Numer produktu DigiKey	742-SUM40012EL-GE3TR-ND - Taśma i szpula (TR) 742-SUM40012EL-GE3CT-ND - Taśma cięta (CT) 742-SUM40012EL-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Vishay Siliconix
Numer produktu producenta	SUM40012EL-GE3
Opis	MOSFET N-CH 40V 150A TO263
Standardowy czas realizacji przez producenta	55 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 40 V 150A (Tc) 150W (Tc) Montaż powierzchniowy TO-263 (D2PAK)
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Vgs(th) (maks.) przy Id 2,5V przy 250µA
Prod. Vishay Siliconix	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 195 nC @ 10 V
Seria TrenchFET®	Vgs (maks.) ±20V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 10930 pF @ 20 V
Status części Aktywny	Straty mocy (maks.) 150W (Tc)
Typ FET Kanał N	Temperatura robocza -55°C - 175°C (TJ)
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Napięcie dren-źródło (Vdss) 40 V	Obudowa dostawcy urządzenia TO-263 (D2PAK)
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 150A (Tc)	Obudowa / skrzynia TO-263-3, D2PAK (2 odpr. + wypust), TO-263AB
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 4,5V, 10V	Bazowy numer produktu SUM40012
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 1,67mOhm przy 30A, 10V