Name: SIR178DP-T1-RE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SIR178DP-T1-RE3TR-ND
Price: 12.4599 PLN
Availability: InStock

SIR178DP-T1-RE3
Numer produktu DigiKey	742-SIR178DP-T1-RE3TR-ND - Taśma i szpula (TR) 742-SIR178DP-T1-RE3CT-ND - Taśma cięta (CT) 742-SIR178DP-T1-RE3DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Vishay Siliconix
Numer produktu producenta	SIR178DP-T1-RE3
Opis	MOSFET N-CH 20V 100A/430A PPAK
Standardowy czas realizacji przez producenta	19 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 20 V 100A (Ta), 430A (Tc) 6,3W (Ta), 104W (Tc) Montaż powierzchniowy PowerPAK® SO-8
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	SIR178DP-T1-RE3 Modele

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Vishay Siliconix
Seria	TrenchFET® Gen IV
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	20 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	100A (Ta), 430A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	2,5V, 10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	0,4mOhm przy 30A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	1,5V przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	310 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	+12V, -8V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	12430 pF @ 10 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	6,3W (Ta), 104W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 150°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	PowerPAK® SO-8
Obudowa / skrzynia	PowerPAK® SO-8
Bazowy numer produktu	SIR178

Cena jednostkowa bez VAT:	10,13000 zł
Cena jednostkowa z VAT:	12,45990 zł

SIR178DP-T1-RE3