Name: SUM110P08-11L-E3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SUM110P08-11L-E3TR-ND
Price: 26.0637 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

SUM110P08-11L-E3
Numer produktu DigiKey	SUM110P08-11L-E3TR-ND - Taśma i szpula (TR) SUM110P08-11L-E3CT-ND - Taśma cięta (CT) SUM110P08-11L-E3DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Vishay Siliconix
Numer produktu producenta	SUM110P08-11L-E3
Opis	MOSFET P-CH 80V 110A TO263
Standardowy czas realizacji przez producenta	30 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał P 80 V 110A (Tc) 13,6W (Ta), 375W (Tc) Montaż powierzchniowy TO-263 (D2PAK)
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	SUM110P08-11L-E3 Modele

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Vgs(th) (maks.) przy Id 3V przy 250µA
Prod. Vishay Siliconix	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 270 nC @ 10 V
Seria TrenchFET®	Vgs (maks.) ±20V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 10850 pF @ 40 V
Status części Aktywny	Straty mocy (maks.) 13,6W (Ta), 375W (Tc)
Typ FET Kanał P	Temperatura robocza -55°C - 175°C (TJ)
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Napięcie dren-źródło (Vdss) 80 V	Obudowa dostawcy urządzenia TO-263 (D2PAK)
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 110A (Tc)	Obudowa / skrzynia TO-263-3, D2PAK (2 odpr. + wypust), TO-263AB
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 4,5V, 10V	Bazowy numer produktu SUM110
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 11,2mOhm przy 20A, 10V