Name: SUM110P06-08L-E3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SUM110P06-08L-E3TR-ND
Price: 25.215 PLN
Availability: OutOfStock

SUM110P06-08L-E3 nie jest dostępne w magazynie, jednak można złożyć zamówienie niezrealizowane.

Dostępne zamienniki:

Similar

IXYS

W magazynie: 2 096

Cena jednostkowa : 32,86000 zł

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

SUM110P06-08L-E3
Numer produktu DigiKey	SUM110P06-08L-E3TR-ND - Taśma i szpula (TR) SUM110P06-08L-E3CT-ND - Taśma cięta (CT) SUM110P06-08L-E3DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Vishay Siliconix
Numer produktu producenta	SUM110P06-08L-E3
Opis	MOSFET P-CH 60V 110A TO263
Standardowy czas realizacji przez producenta	63 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał P 60 V 110A (Tc) 3,75W (Ta), 272W (Tc) Montaż powierzchniowy TO-263 (D2PAK)
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	SUM110P06-08L-E3 Modele

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Vgs(th) (maks.) przy Id 3V przy 250µA
Prod. Vishay Siliconix	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 240 nC @ 10 V
Seria TrenchFET®	Vgs (maks.) ±20V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 9200 pF @ 25 V
Status części Aktywny	Straty mocy (maks.) 3,75W (Ta), 272W (Tc)
Typ FET Kanał P	Temperatura robocza -55°C - 175°C (TJ)
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Napięcie dren-źródło (Vdss) 60 V	Obudowa dostawcy urządzenia TO-263 (D2PAK)
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 110A (Tc)	Obudowa / skrzynia TO-263-3, D2PAK (2 odpr. + wypust), TO-263AB
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 4,5V, 10V	Bazowy numer produktu SUM110
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 8mOhm przy 30A, 10V