Name: ATP304-TL-H
Brand: onsemi
SKU: ATP304-TL-HOSTR-ND
Price: 27.1953 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

ATP304-TL-H
Numer produktu DigiKey	ATP304-TL-HOSTR-ND - Taśma i szpula (TR) ATP304-TL-HOSCT-ND - Taśma cięta (CT) ATP304-TL-HOSDKR-ND - Digi-Reel®
Producent	onsemi
Numer produktu producenta	ATP304-TL-H
Opis	MOSFET P-CH 60V 100A ATPAK
Standardowy czas realizacji przez producenta	21 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał P 60 V 100A (Ta) 90W (Tc) Montaż powierzchniowy ATPAK
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	ATP304-TL-H Modele

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	onsemi
Seria	-
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał P
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	60 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	100A (Ta)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	4,5V, 10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	6,5mOhm przy 50A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	-
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	250 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	13000 pF @ 20 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	90W (Tc)
Temperatura robocza	150°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	ATPAK
Obudowa / skrzynia	ATPAK (2 odprowadzenia + wypust)
Bazowy numer produktu	ATP304