Name: SUM110N10-09-E3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SUM110N10-09-E3TR-ND
Price: 27.6504 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

SUM110N10-09-E3
Numer produktu DigiKey	SUM110N10-09-E3TR-ND - Taśma i szpula (TR) SUM110N10-09-E3CT-ND - Taśma cięta (CT) SUM110N10-09-E3DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Vishay Siliconix
Numer produktu producenta	SUM110N10-09-E3
Opis	MOSFET N-CH 100V 110A TO263
Standardowy czas realizacji przez producenta	38 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 100 V 110A (Tc) 3,75W (Ta), 375W (Tc) Montaż powierzchniowy TO-263 (D2PAK)
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Vgs(th) (maks.) przy Id 4V przy 250µA
Prod. Vishay Siliconix	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 160 nC @ 10 V
Seria TrenchFET®	Vgs (maks.) ±20V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 6700 pF @ 25 V
Status części Aktywny	Straty mocy (maks.) 3,75W (Ta), 375W (Tc)
Typ FET Kanał N	Temperatura robocza -55°C - 175°C (TJ)
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Napięcie dren-źródło (Vdss) 100 V	Obudowa dostawcy urządzenia TO-263 (D2PAK)
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 110A (Tc)	Obudowa / skrzynia TO-263-3, D2PAK (2 odpr. + wypust), TO-263AB
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 10V	Bazowy numer produktu SUM110
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 9,5mOhm przy 30A, 10V