Name: SUD50N04-8M8P-4GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SUD50N04-8M8P-4GE3TR-ND
Price: 10.4181 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

SUD50N04-8M8P-4GE3
Numer produktu DigiKey	SUD50N04-8M8P-4GE3TR-ND - Taśma i szpula (TR) SUD50N04-8M8P-4GE3CT-ND - Taśma cięta (CT) SUD50N04-8M8P-4GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Vishay Siliconix
Numer produktu producenta	SUD50N04-8M8P-4GE3
Opis	MOSFET N-CH 40V 14A/50A TO252
Standardowy czas realizacji przez producenta	38 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 40 V 14A (Ta), 50A (Tc) 3,1W (Ta), 48,1W (Tc) Montaż powierzchniowy TO-252AA
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	SUD50N04-8M8P-4GE3 Modele

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Vgs(th) (maks.) przy Id 3V przy 250µA
Prod. Vishay Siliconix	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 56 nC @ 10 V
Seria TrenchFET®	Vgs (maks.) ±20V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 2400 pF @ 20 V
Status części Aktywny	Straty mocy (maks.) 3,1W (Ta), 48,1W (Tc)
Typ FET Kanał N	Temperatura robocza -55°C - 150°C (TJ)
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Napięcie dren-źródło (Vdss) 40 V	Obudowa dostawcy urządzenia TO-252AA
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 14A (Ta), 50A (Tc)	Obudowa / skrzynia TO-252-3, DPAK (2 odpr. + wypust), SC-63
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 4,5V, 10V	Bazowy numer produktu SUD50
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 8,8mOhm przy 20A, 10V