Name: SUD15N15-95-E3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SUD15N15-95-E3TR-ND
Price: 19.1757 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

SUD15N15-95-E3
Numer produktu DigiKey	SUD15N15-95-E3TR-ND - Taśma i szpula (TR) SUD15N15-95-E3CT-ND - Taśma cięta (CT) SUD15N15-95-E3DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Vishay Siliconix
Numer produktu producenta	SUD15N15-95-E3
Opis	MOSFET N-CH 150V 15A TO252
Standardowy czas realizacji przez producenta	20 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 150 V 15A (Tc) 2,7W (Ta), 62W (Tc) Montaż powierzchniowy TO-252AA
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Vishay Siliconix
Seria	TrenchFET®
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	150 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	15A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	6V, 10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	95mOhm przy 15A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	2V przy 250µA (min.)
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	25 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	900 pF @ 25 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	2,7W (Ta), 62W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 175°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	TO-252AA
Obudowa / skrzynia	TO-252-3, DPAK (2 odpr. + wypust), SC-63
Bazowy numer produktu	SUD15