
SQS966ENW-T1_GE3 | |
|---|---|
Numer produktu DigiKey | SQS966ENW-T1_GE3TR-ND - Taśma i szpula (TR) SQS966ENW-T1_GE3CT-ND - Taśma cięta (CT) SQS966ENW-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Producent | |
Numer produktu producenta | SQS966ENW-T1_GE3 |
Opis | MOSFET 2N-CH 60V 6A PWRPAK1212 |
Standardowy czas realizacji przez producenta | 39 tygodnie |
Numer referencyjny klienta | |
Szczegółowy opis | MOSFET - układy 60V 6A (Tc) 27,8W (Tc) Montaż powierzchniowy, bok zwilżany PowerPAK® 1212-8W podwójne |
Arkusz danych | Arkusz danych |
Kategoria | Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 8,8nC przy 10V |
Producent Vishay Siliconix | Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 572pF przy 25V |
Seria | Moc - maks. 27,8W (Tc) |
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel® | Temperatura robocza -55°C - 175°C (TJ) |
Status części Aktywny | Klasa Motoryzacja |
Technologia MOSFET (tlenek metalu) | Kwalifikacja AEC-Q101 |
Konfiguracja 2 kanały N (podwójne) | Typ mocowania Montaż powierzchniowy, bok zwilżany |
Napięcie dren-źródło (Vdss) 60V | Obudowa / skrzynia PowerPAK® 1212-8W podwójne |
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 6A (Tc) | Obudowa dostawcy urządzenia PowerPAK® 1212-8W podwójne |
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 36mOhm przy 1,25A, 10V | Bazowy numer produktu |
Vgs(th) (maks.) przy Id 2,5V przy 250µA |
| Ilość | Cena jednostkowa | Wartość |
|---|---|---|
| 1 | 6,43000 zł | 6,43 zł |
| 10 | 4,08300 zł | 40,83 zł |
| 100 | 2,73190 zł | 273,19 zł |
| 500 | 2,15254 zł | 1 076,27 zł |
| 1 000 | 1,96618 zł | 1 966,18 zł |
| Ilość | Cena jednostkowa | Wartość |
|---|---|---|
| 3 000 | 1,72951 zł | 5 188,53 zł |
| 6 000 | 1,61041 zł | 9 662,46 zł |
| 9 000 | 1,54976 zł | 13 947,84 zł |
| 15 000 | 1,48163 zł | 22 224,45 zł |
| 21 000 | 1,47672 zł | 31 011,12 zł |
| Cena jednostkowa bez VAT: | 6,43000 zł |
|---|---|
| Cena jednostkowa z VAT: | 7,90890 zł |

