Name: SQS660CENW-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SQS660CENW-T1_GE3TR-ND
Price: 6.3099 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

SQS660CENW-T1_GE3
Numer produktu DigiKey	742-SQS660CENW-T1_GE3TR-ND - Taśma i szpula (TR) 742-SQS660CENW-T1_GE3CT-ND - Taśma cięta (CT) 742-SQS660CENW-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Vishay Siliconix
Numer produktu producenta	SQS660CENW-T1_GE3
Opis	AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S)
Standardowy czas realizacji przez producenta	37 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 60 V 18A (Tc) 62,5W (Tc) Montaż powierzchniowy PowerPAK® 1212-8W
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Vgs(th) (maks.) przy Id 2,5V przy 250µA
Prod. Vishay Siliconix	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 26 nC @ 10 V
Seria TrenchFET®	Vgs (maks.) ±20V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 1950 pF @ 25 V
Status części Aktywny	Straty mocy (maks.) 62,5W (Tc)
Typ FET Kanał N	Temperatura robocza -55°C - 175°C (TJ)
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Klasa Motoryzacja
Napięcie dren-źródło (Vdss) 60 V	Kwalifikacja AEC-Q101
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 18A (Tc)	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 4,5V, 10V	Obudowa dostawcy urządzenia PowerPAK® 1212-8W
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 11,2mOhm przy 7A, 10V	Obudowa / skrzynia PowerPAK® 1212-8W

Zgłoś błąd informacji o produkcie

Dokumenty i media

Klasyfikacje eksportowe i środowiskowe

Dodatkowe zasoby

W magazynie: 1 976

Sprawdź dodatkowe produkty wprowadzane do magazynu

Ilość

Wszystkie ceny podano w PLN

Taśma cięta (CT) & Digi-Reel®

* Do wszystkich zamówień Digi-Reel dodawana jest opłata 27,00 zł za przygotowanie szpuli.

Taśma i szpula (TR)