
SQJQ960EL-T1_GE3 | |
|---|---|
Numer produktu DigiKey | SQJQ960EL-T1_GE3TR-ND - Taśma i szpula (TR) SQJQ960EL-T1_GE3CT-ND - Taśma cięta (CT) SQJQ960EL-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Producent | |
Numer produktu producenta | SQJQ960EL-T1_GE3 |
Opis | MOSFET 2N-CH 60V 63A PPAK8X8 |
Standardowy czas realizacji przez producenta | 32 tygodnie |
Numer referencyjny klienta | |
Szczegółowy opis | MOSFET - układy 60V 63A (Tc) 71W Montaż powierzchniowy PowerPAK® 8 x 8 podwójny |
Arkusz danych | Arkusz danych |
Modele EDA/CAD | SQJQ960EL-T1_GE3 Modele |
Typ | Opis | Wybierz wszystko |
|---|---|---|
Kategoria | ||
Producent | Vishay Siliconix | |
Seria | ||
Opakowanie | Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel® | |
Status części | Aktywny | |
Technologia | MOSFET (tlenek metalu) | |
Konfiguracja | 2 kanały N (podwójne) | |
Charakterystyka FET | - | |
Napięcie dren-źródło (Vdss) | 60V | |
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C | 63A (Tc) | |
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs | 9mOhm przy 10A, 10V | |
Vgs(th) (maks.) przy Id | 2,5V przy 250µA | |
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs | 24nC przy 10V | |
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds | 1950pF przy 25V | |
Moc - maks. | 71W | |
Temperatura robocza | -55°C - 175°C (TJ) | |
Klasa | Motoryzacja | |
Kwalifikacja | AEC-Q101 | |
Typ mocowania | Montaż powierzchniowy | |
Obudowa / skrzynia | PowerPAK® 8 x 8 podwójny | |
Obudowa dostawcy urządzenia | PowerPAK® 8 x 8 podwójny | |
Bazowy numer produktu |
| Ilość | Cena jednostkowa | Wartość |
|---|---|---|
| 1 | 11,57000 zł | 11,57 zł |
| 10 | 7,51400 zł | 75,14 zł |
| 100 | 5,20930 zł | 520,93 zł |
| 500 | 4,40422 zł | 2 202,11 zł |
| Ilość | Cena jednostkowa | Wartość |
|---|---|---|
| 2 000 | 3,64095 zł | 7 281,90 zł |
| 4 000 | 3,59824 zł | 14 392,96 zł |
| Cena jednostkowa bez VAT: | 11,57000 zł |
|---|---|
| Cena jednostkowa z VAT: | 14,23110 zł |










