Name: SQJQ936EL-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SQJQ936EL-T1_GE3TR-ND
Price: 17.8473 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

SQJQ936EL-T1_GE3
Numer produktu DigiKey	742-SQJQ936EL-T1_GE3TR-ND - Taśma i szpula (TR) 742-SQJQ936EL-T1_GE3CT-ND - Taśma cięta (CT) 742-SQJQ936EL-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Vishay Siliconix
Numer produktu producenta	SQJQ936EL-T1_GE3
Opis	MOSFET 2N-CH 40V 100A PPAK8X8
Standardowy czas realizacji przez producenta	39 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	MOSFET - układy 40V 100A (Tc) 75W (Tc) Montaż powierzchniowy PowerPAK® 8 x 8 podwójny
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	SQJQ936EL-T1_GE3 Modele

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Układy tranzystorów FET, MOSFET	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 45nC przy 10V
Producent Vishay Siliconix	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 7300pF przy 25V
Seria TrenchFET®	Moc - maks. 75W (Tc)
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Temperatura robocza -55°C - 175°C (TJ)
Status części Aktywny	Klasa Motoryzacja
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Kwalifikacja AEC-Q101
Konfiguracja 2 kanały N (podwójne)	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Napięcie dren-źródło (Vdss) 40V	Obudowa / skrzynia PowerPAK® 8 x 8 podwójny
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 100A (Tc)	Obudowa dostawcy urządzenia PowerPAK® 8 x 8 podwójny
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 2,3mOhm przy 5A, 10V	Bazowy numer produktu SQJQ936
Vgs(th) (maks.) przy Id 2,5V przy 250µA