Name: SQJQ112E-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SQJQ112E-T1_GE3TR-ND
Price: 20.7993 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

SQJQ112E-T1_GE3
Numer produktu DigiKey	742-SQJQ112E-T1_GE3TR-ND - Taśma i szpula (TR) 742-SQJQ112E-T1_GE3CT-ND - Taśma cięta (CT) 742-SQJQ112E-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Vishay Siliconix
Numer produktu producenta	SQJQ112E-T1_GE3
Opis	AUTOMOTIVE N-CHANNEL 100 V (D-S)
Standardowy czas realizacji przez producenta	32 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 100 V 296A (Tc) 600W (Tc) Montaż powierzchniowy PowerPAK® 8 x 8
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	SQJQ112E-T1_GE3 Modele

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Vishay Siliconix
Seria	TrenchFET® Gen IV
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	100 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	296A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	2,53mOhm przy 20A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	3,5V przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	272 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	15945 pF @ 25 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	600W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 175°C (TJ)
Klasa	Motoryzacja
Kwalifikacja	AEC-Q101
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	PowerPAK® 8 x 8
Obudowa / skrzynia	PowerPAK® 8 x 8