Name: SQJQ112E-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SQJQ112E-T1_GE3TR-ND
Price: 21.8202 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

SQJQ112E-T1_GE3
Numer produktu DigiKey	742-SQJQ112E-T1_GE3TR-ND - Taśma i szpula (TR) 742-SQJQ112E-T1_GE3CT-ND - Taśma cięta (CT) 742-SQJQ112E-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Vishay Siliconix
Numer produktu producenta	SQJQ112E-T1_GE3
Opis	AUTOMOTIVE N-CHANNEL 100 V (D-S)
Standardowy czas realizacji przez producenta	39 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 100 V 296A (Tc) 600W (Tc) Montaż powierzchniowy PowerPAK® 8 x 8
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	SQJQ112E-T1_GE3 Modele

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Vgs(th) (maks.) przy Id 3,5V przy 250µA
Prod. Vishay Siliconix	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 272 nC @ 10 V
Seria TrenchFET® Gen IV	Vgs (maks.) ±20V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 15945 pF @ 25 V
Status części Aktywny	Straty mocy (maks.) 600W (Tc)
Typ FET Kanał N	Temperatura robocza -55°C - 175°C (TJ)
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Klasa Motoryzacja
Napięcie dren-źródło (Vdss) 100 V	Kwalifikacja AEC-Q101
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 296A (Tc)	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 10V	Obudowa dostawcy urządzenia PowerPAK® 8 x 8
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 2,53mOhm przy 20A, 10V	Obudowa / skrzynia PowerPAK® 8 x 8