
SQJQ900E-T1_GE3 | |
|---|---|
Numer produktu DigiKey | SQJQ900E-T1_GE3TR-ND - Taśma i szpula (TR) SQJQ900E-T1_GE3CT-ND - Taśma cięta (CT) SQJQ900E-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Producent | |
Numer produktu producenta | SQJQ900E-T1_GE3 |
Opis | MOSFET 2N-CH 40V 100A PPAK8X8 |
Standardowy czas realizacji przez producenta | 23 tygodnie |
Numer referencyjny klienta | |
Szczegółowy opis | MOSFET - układy 40V 100A (Tc) 75W Montaż powierzchniowy PowerPAK® 8 x 8 podwójny |
Arkusz danych | Arkusz danych |
Modele EDA/CAD | SQJQ900E-T1_GE3 Modele |
Kategoria | Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 120nC przy 10V |
Producent Vishay Siliconix | Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 5900pF przy 20V |
Seria | Moc - maks. 75W |
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel® | Temperatura robocza -55°C - 175°C (TJ) |
Status części Aktywny | Klasa Motoryzacja |
Technologia MOSFET (tlenek metalu) | Kwalifikacja AEC-Q101 |
Konfiguracja 2 kanały N (podwójne) | Typ mocowania Montaż powierzchniowy |
Napięcie dren-źródło (Vdss) 40V | Obudowa / skrzynia PowerPAK® 8 x 8 podwójny |
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 100A (Tc) | Obudowa dostawcy urządzenia PowerPAK® 8 x 8 podwójny |
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 3,9mOhm przy 20A, 10V | Bazowy numer produktu |
Vgs(th) (maks.) przy Id 2,5V przy 250µA |
| Ilość | Cena jednostkowa | Wartość |
|---|---|---|
| 1 | 13,00000 zł | 13,00 zł |
| 10 | 8,47800 zł | 84,78 zł |
| 100 | 5,90040 zł | 590,04 zł |
| 500 | 4,79910 zł | 2 399,55 zł |
| 1 000 | 4,74621 zł | 4 746,21 zł |
| Ilość | Cena jednostkowa | Wartość |
|---|---|---|
| 2 000 | 4,14790 zł | 8 295,80 zł |
| 4 000 | 3,89799 zł | 15 591,96 zł |
| 6 000 | 3,87762 zł | 23 265,72 zł |
| Cena jednostkowa bez VAT: | 13,00000 zł |
|---|---|
| Cena jednostkowa z VAT: | 15,99000 zł |

