
SQJB80EP-T1_GE3 | |
|---|---|
Numer produktu DigiKey | SQJB80EP-T1_GE3TR-ND - Taśma i szpula (TR) SQJB80EP-T1_GE3CT-ND - Taśma cięta (CT) SQJB80EP-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Producent | |
Numer produktu producenta | SQJB80EP-T1_GE3 |
Opis | MOSFET 2N-CH 80V 30A PPAK SO8 |
Standardowy czas realizacji przez producenta | 39 tygodnie |
Numer referencyjny klienta | |
Szczegółowy opis | MOSFET - układy 80V 30A (Tc) 48W Montaż powierzchniowy PowerPAK® SO-8 podwójny |
Arkusz danych | Arkusz danych |
Modele EDA/CAD | SQJB80EP-T1_GE3 Modele |
Kategoria | Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 32nC przy 10V |
Producent Vishay Siliconix | Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 1400pF przy 25V |
Seria | Moc - maks. 48W |
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel® | Temperatura robocza -55°C - 175°C (TJ) |
Status części Aktywny | Klasa Motoryzacja |
Technologia MOSFET (tlenek metalu) | Kwalifikacja AEC-Q101 |
Konfiguracja 2 kanały N (podwójne) | Typ mocowania Montaż powierzchniowy |
Napięcie dren-źródło (Vdss) 80V | Obudowa / skrzynia PowerPAK® SO-8 podwójny |
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 30A (Tc) | Obudowa dostawcy urządzenia PowerPAK® SO-8 podwójny |
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 19mOhm przy 8A, 10V | Bazowy numer produktu |
Vgs(th) (maks.) przy Id 2,5V przy 250µA |
| Ilość | Cena jednostkowa | Wartość |
|---|---|---|
| 1 | 7,11000 zł | 7,11 zł |
| 10 | 4,52400 zł | 45,24 zł |
| 100 | 3,04390 zł | 304,39 zł |
| 500 | 2,40914 zł | 1 204,57 zł |
| 1 000 | 2,20489 zł | 2 204,89 zł |
| Ilość | Cena jednostkowa | Wartość |
|---|---|---|
| 3 000 | 1,94563 zł | 5 836,89 zł |
| 6 000 | 1,81517 zł | 10 891,02 zł |
| 9 000 | 1,74874 zł | 15 738,66 zł |
| 15 000 | 1,69441 zł | 25 416,15 zł |
| Cena jednostkowa bez VAT: | 7,11000 zł |
|---|---|
| Cena jednostkowa z VAT: | 8,74530 zł |











