Name: SQJA68EP-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SQJA68EP-T1_GE3TR-ND
Price: 5.7441 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

SQJA68EP-T1_GE3
Numer produktu DigiKey	SQJA68EP-T1_GE3TR-ND - Taśma i szpula (TR) SQJA68EP-T1_GE3CT-ND - Taśma cięta (CT) SQJA68EP-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Vishay Siliconix
Numer produktu producenta	SQJA68EP-T1_GE3
Opis	MOSFET N-CH 100V 14A PPAK SO-8L
Standardowy czas realizacji przez producenta	23 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 100 V 14A (Tc) 45W (Tc) Montaż powierzchniowy PowerPAK® SO-8L
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 8 nC @ 10 V
Prod. Vishay Siliconix	Vgs (maks.) ±20V
Seria TrenchFET®	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 280 pF @ 25 V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Straty mocy (maks.) 45W (Tc)
Status części Aktywny	Temperatura robocza -55°C - 175°C (TJ)
Typ FET Kanał N	Klasa Motoryzacja
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Kwalifikacja AEC-Q101
Napięcie dren-źródło (Vdss) 100 V	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 14A (Tc)	Obudowa dostawcy urządzenia PowerPAK® SO-8L
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 4,5V, 10V	Obudowa / skrzynia PowerPAK® SO-8L
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 92mOhm przy 4A, 10V	Bazowy numer produktu SQJA68
Vgs(th) (maks.) przy Id 2,5V przy 250µA

Zgłoś błąd informacji o produkcie

Dokumenty i media

Klasyfikacje eksportowe i środowiskowe

Dodatkowe zasoby

W magazynie: 1 943

Sprawdź dodatkowe produkty wprowadzane do magazynu

Ilość

Wszystkie ceny podano w PLN

Taśma cięta (CT) & Digi-Reel®

* Do wszystkich zamówień Digi-Reel dodawana jest opłata 27,00 zł za przygotowanie szpuli.

Taśma i szpula (TR)