
SQJ992EP-T2_GE3 | |
|---|---|
Numer produktu DigiKey | 742-SQJ992EP-T2_GE3TR-ND - Taśma i szpula (TR) 742-SQJ992EP-T2_GE3CT-ND - Taśma cięta (CT) 742-SQJ992EP-T2_GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Producent | |
Numer produktu producenta | SQJ992EP-T2_GE3 |
Opis | MOSFET 2N-CH 60V 15A PPAK SO8 |
Standardowy czas realizacji przez producenta | 20 tygodnie |
Numer referencyjny klienta | |
Szczegółowy opis | MOSFET - układy 60V 15A (Tc) 34W (Tc) Montaż powierzchniowy PowerPAK® SO-8 podwójny |
Arkusz danych | Arkusz danych |
Modele EDA/CAD | SQJ992EP-T2_GE3 Modele |
Kategoria | Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 12nC przy 10V |
Producent Vishay Siliconix | Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 446pF przy 30V |
Seria | Moc - maks. 34W (Tc) |
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel® | Temperatura robocza -55°C - 175°C (TJ) |
Status części Aktywny | Klasa Motoryzacja |
Technologia MOSFET (tlenek metalu) | Kwalifikacja AEC-Q101 |
Konfiguracja 2 kanały N (podwójne) | Typ mocowania Montaż powierzchniowy |
Napięcie dren-źródło (Vdss) 60V | Obudowa / skrzynia PowerPAK® SO-8 podwójny |
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 15A (Tc) | Obudowa dostawcy urządzenia PowerPAK® SO-8 podwójny |
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 56,2mOhm przy 3,7A, 10V | Bazowy numer produktu |
Vgs(th) (maks.) przy Id 2,5V przy 250µA |
| Ilość | Cena jednostkowa | Wartość |
|---|---|---|
| 1 | 5,67000 zł | 5,67 zł |
| 10 | 3,59400 zł | 35,94 zł |
| 100 | 2,38900 zł | 238,90 zł |
| 500 | 1,87218 zł | 936,09 zł |
| 1 000 | 1,70585 zł | 1 705,85 zł |
| Ilość | Cena jednostkowa | Wartość |
|---|---|---|
| 3 000 | 1,49462 zł | 4 483,86 zł |
| 6 000 | 1,38832 zł | 8 329,92 zł |
| 9 000 | 1,33417 zł | 12 007,53 zł |
| 15 000 | 1,27336 zł | 19 100,40 zł |
| 21 000 | 1,24421 zł | 26 128,41 zł |
| Cena jednostkowa bez VAT: | 5,67000 zł |
|---|---|
| Cena jednostkowa z VAT: | 6,97410 zł |


