
SQJ960EP-T1_GE3 | |
|---|---|
Numer produktu DigiKey | SQJ960EP-T1_GE3TR-ND - Taśma i szpula (TR) SQJ960EP-T1_GE3CT-ND - Taśma cięta (CT) SQJ960EP-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Producent | |
Numer produktu producenta | SQJ960EP-T1_GE3 |
Opis | MOSFET 2N-CH 60V 8A PPAK SO8 |
Standardowy czas realizacji przez producenta | 23 tygodnie |
Numer referencyjny klienta | |
Szczegółowy opis | MOSFET - układy 60V 8A 34W Montaż powierzchniowy PowerPAK® SO-8 podwójny |
Arkusz danych | Arkusz danych |
Modele EDA/CAD | SQJ960EP-T1_GE3 Modele |
Kategoria | Vgs(th) (maks.) przy Id 2,5V przy 250µA |
Producent Vishay Siliconix | Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 20nC przy 10V |
Seria | Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 735pF przy 25V |
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel® | Moc - maks. 34W |
Status części Aktywny | Temperatura robocza -55°C - 175°C (TJ) |
Technologia MOSFET (tlenek metalu) | Klasa Motoryzacja |
Konfiguracja 2 kanały N (podwójne) | Kwalifikacja AEC-Q101 |
Charakterystyka FET Bramka poziomu logicznego | Typ mocowania Montaż powierzchniowy |
Napięcie dren-źródło (Vdss) 60V | Obudowa / skrzynia PowerPAK® SO-8 podwójny |
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 8A | Obudowa dostawcy urządzenia PowerPAK® SO-8 podwójny |
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 36mOhm przy 5,3A, 10V | Bazowy numer produktu |
| Numer katalogowy | Producent | Ilość dostępna | Numer produktu DigiKey | Cena jednostkowa | Rodzaj zamiennika |
|---|---|---|---|---|---|
| SQJ960EP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | 1 461 | SQJ960EP-T1_GE3CT-ND | 11,17000 zł | Odpowiednik parametryczny |
| Ilość | Cena jednostkowa | Wartość |
|---|---|---|
| 1 | 11,17000 zł | 11,17 zł |
| 10 | 7,22500 zł | 72,25 zł |
| 100 | 4,98220 zł | 498,22 zł |
| 500 | 4,02414 zł | 2 012,07 zł |
| 1 000 | 3,84959 zł | 3 849,59 zł |
| Ilość | Cena jednostkowa | Wartość |
|---|---|---|
| 3 000 | 3,32550 zł | 9 976,50 zł |
| 6 000 | 3,14509 zł | 18 870,54 zł |
| Cena jednostkowa bez VAT: | 11,17000 zł |
|---|---|
| Cena jednostkowa z VAT: | 13,73910 zł |

