Name: SQJ500AEP-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SQJ500AEP-T1_GE3TR-ND
Price: 9.6801 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

SQJ500AEP-T1_GE3
Numer produktu DigiKey	SQJ500AEP-T1_GE3TR-ND - Taśma i szpula (TR) SQJ500AEP-T1_GE3CT-ND - Taśma cięta (CT) SQJ500AEP-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Vishay Siliconix
Numer produktu producenta	SQJ500AEP-T1_GE3
Opis	MOSFET N/P-CH 40V 30A PPAK SO8
Standardowy czas realizacji przez producenta	27 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	MOSFET - układy 40V 30A (Tc) 48W Montaż powierzchniowy PowerPAK® SO-8 podwójny
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	SQJ500AEP-T1_GE3 Modele

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Układy tranzystorów FET, MOSFET
Producent	Vishay Siliconix
Seria	TrenchFET®
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Technologia	-
Konfiguracja	Kanał N i P
Charakterystyka FET	-
Napięcie dren-źródło (Vdss)	40V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	30A (Tc)
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	27mOhm przy 6A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	2,3V przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	38,1nC przy 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	1850pF przy 20V
Moc - maks.	48W
Temperatura robocza	-55°C - 175°C (TJ)
Klasa	Motoryzacja
Kwalifikacja	AEC-Q101
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa / skrzynia	PowerPAK® SO-8 podwójny
Obudowa dostawcy urządzenia	PowerPAK® SO-8 podwójny
Bazowy numer produktu	SQJ500