Name: SQJ500AEP-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SQJ500AEP-T1_GE3TR-ND
Price: 10.1598 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

SQJ500AEP-T1_GE3
Numer produktu DigiKey	SQJ500AEP-T1_GE3TR-ND - Taśma i szpula (TR) SQJ500AEP-T1_GE3CT-ND - Taśma cięta (CT) SQJ500AEP-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Vishay Siliconix
Numer produktu producenta	SQJ500AEP-T1_GE3
Opis	MOSFET N/P-CH 40V 30A PPAK SO8
Standardowy czas realizacji przez producenta	23 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	MOSFET - układy 40V 30A (Tc) 48W Montaż powierzchniowy PowerPAK® SO-8 podwójny
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	SQJ500AEP-T1_GE3 Modele

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Układy tranzystorów FET, MOSFET	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 38,1nC przy 10V
Producent Vishay Siliconix	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 1850pF przy 20V
Seria TrenchFET®	Moc - maks. 48W
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Temperatura robocza -55°C - 175°C (TJ)
Status części Aktywny	Klasa Motoryzacja
Konfiguracja Kanał N i P	Kwalifikacja AEC-Q101
Napięcie dren-źródło (Vdss) 40V	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 30A (Tc)	Obudowa / skrzynia PowerPAK® SO-8 podwójny
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 27mOhm przy 6A, 10V	Obudowa dostawcy urządzenia PowerPAK® SO-8 podwójny
Vgs(th) (maks.) przy Id 2,3V przy 250µA	Bazowy numer produktu SQJ500