
SQJ262EP-T1_GE3 | |
|---|---|
Numer produktu DigiKey | SQJ262EP-T1_GE3TR-ND - Taśma i szpula (TR) SQJ262EP-T1_GE3CT-ND - Taśma cięta (CT) SQJ262EP-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Producent | |
Numer produktu producenta | SQJ262EP-T1_GE3 |
Opis | MOSFET 2N-CH 60V 15A PPAK SO8 |
Standardowy czas realizacji przez producenta | 39 tygodnie |
Numer referencyjny klienta | |
Szczegółowy opis | MOSFET - układy 60V 15A (Tc), 40A (Tc) 27W (Tc), 48W (Tc) Montaż powierzchniowy PowerPAK® SO-8 podwójny asymetryczny |
Arkusz danych | Arkusz danych |
Modele EDA/CAD | SQJ262EP-T1_GE3 Modele |
Kategoria | Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 10nC przy 10V, 23nC przy 10V |
Producent Vishay Siliconix | Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 550pF przy 25V, 1260pF przy 25V |
Seria | Moc - maks. 27W (Tc), 48W (Tc) |
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel® | Temperatura robocza -55°C - 175°C (TJ) |
Status części Aktywny | Klasa Motoryzacja |
Technologia MOSFET (tlenek metalu) | Kwalifikacja AEC-Q101 |
Konfiguracja 2 kanały N (podwójne) | Typ mocowania Montaż powierzchniowy |
Napięcie dren-źródło (Vdss) 60V | Obudowa / skrzynia PowerPAK® SO-8 podwójny |
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 15A (Tc), 40A (Tc) | Obudowa dostawcy urządzenia PowerPAK® SO-8 podwójny asymetryczny |
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 35,5mOhm przy 2A, 10V, 15,5mOhm przy 5A, 10V | Bazowy numer produktu |
Vgs(th) (maks.) przy Id 2,5V przy 250µA |
| Ilość | Cena jednostkowa | Wartość |
|---|---|---|
| 1 | 7,33000 zł | 7,33 zł |
| 10 | 4,65400 zł | 46,54 zł |
| 100 | 3,13580 zł | 313,58 zł |
| 500 | 2,48490 zł | 1 242,45 zł |
| 1 000 | 2,27549 zł | 2 275,49 zł |
| Ilość | Cena jednostkowa | Wartość |
|---|---|---|
| 3 000 | 2,00964 zł | 6 028,92 zł |
| 6 000 | 1,87587 zł | 11 255,22 zł |
| 9 000 | 1,80776 zł | 16 269,84 zł |
| 15 000 | 1,75949 zł | 26 392,35 zł |
| Cena jednostkowa bez VAT: | 7,33000 zł |
|---|---|
| Cena jednostkowa z VAT: | 9,01590 zł |

