Kanał P 100 V 33,6A (Tc) 68W (Tc) Montaż powierzchniowy PowerPAK® SO-8
Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

SQJ211ELP-T1_GE3

Numer produktu DigiKey
742-SQJ211ELP-T1_GE3TR-ND - Taśma i szpula (TR)
742-SQJ211ELP-T1_GE3CT-ND - Taśma cięta (CT)
742-SQJ211ELP-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Producent
Vishay Siliconix
Numer produktu producenta
SQJ211ELP-T1_GE3
Opis
MOSFET P-CH 100V 33.6A PPAK SO-8
Standardowy czas realizacji przez producenta
32 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis
Kanał P 100 V 33,6A (Tc) 68W (Tc) Montaż powierzchniowy PowerPAK® SO-8
Arkusz danych
 Arkusz danych
Modele EDA/CAD
SQJ211ELP-T1_GE3 Modele
Atrybuty produktu
Typ
Opis
Wybierz wszystko
Kategoria
Prod.
Vishay Siliconix
Seria
-
Opakowanie
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
Status części
Aktywny
Typ FET
Kanał P
Technologia
MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
100 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C
33,6A (Tc)
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs
30mOhm przy 8A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id
2,5V przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs
68 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds
3800 pF @ 25 V
Charakterystyka FET
-
Straty mocy (maks.)
68W (Tc)
Temperatura robocza
-55°C - 175°C (TJ)
Klasa
Motoryzacja
Kwalifikacja
AEC-Q101
Typ mocowania
Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia
PowerPAK® SO-8
Obudowa / skrzynia
PowerPAK® SO-8
Bazowy numer produktu
SQJ211
Pytania i odpowiedzi dotyczące produktów

Zobacz, o co pytają inżynierowie, zadawaj własne pytania lub pomagaj innym członkom społeczności inżynierów DigiKey

W magazynie: 11 580
Sprawdź dodatkowe produkty wprowadzane do magazynu
Ilość
Wszystkie ceny podano w PLN
Taśma cięta (CT) & Digi-Reel®
Ilość Cena jednostkowa Wartość
17,83000 zł7,83 zł
105,00000 zł50,00 zł
1003,38920 zł338,92 zł
5002,69962 zł1 349,81 zł
1 0002,57477 zł2 574,77 zł
* Do wszystkich zamówień Digi-Reel dodawana jest opłata 27,00 zł za przygotowanie szpuli.
Taśma i szpula (TR)
Ilość Cena jednostkowa Wartość
3 0002,19638 zł6 589,14 zł
6 0002,10359 zł12 621,54 zł
Opakowanie standardowe producenta
Cena jednostkowa bez VAT:7,83000 zł
Cena jednostkowa z VAT:9,63090 zł
Mogą Cię również zainteresowaćZobacz wszystko
10 Pozycje
ZXMN10A07FTA

ZXMN10A07FTA

MOSFET N-CH 100V 700MA SOT23-3

Diodes Incorporated

2,60000 zł
B260AQ-13-F

B260AQ-13-F

DIODE SCHOTTKY 60V 2A SMA

Diodes Incorporated

1,39000 zł
MSP3V3HM3/89A

MSP3V3HM3/89A

TVS DIODE 3.3VWM 11.5V DO219AD

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

0,66000 zł
BSS123WQ-7-F

BSS123WQ-7-F

MOSFET N-CH 100V 170MA SOT323

Diodes Incorporated

1,02000 zł
SMBJ5357B-TP

SMBJ5357B-TP

DIODE ZENER 20V 5W DO214AA

MCC (Micro Commercial Components)

1,65000 zł
SQD40P10-40L_GE3

SQD40P10-40L_GE3

MOSFET P-CH 100V 38A TO252AA

Vishay Siliconix

12,66000 zł
SIR871DP-T1-GE3

SIR871DP-T1-GE3

MOSFET P-CH 100V 48A PPAK SO-8

Vishay Siliconix

10,28000 zł
PMEG40T20EPX

PMEG40T20EPX

DIODE SCHOTTK 40V 2A SOD128/CFP5

Nexperia USA Inc.

1,61000 zł
INA293A1QDBVRQ1

INA293A1QDBVRQ1

IC CURR SENSE 1 CIRCUIT SOT23-5

Texas Instruments

13,80000 zł
SUM70101EL-GE3

SUM70101EL-GE3

MOSFET P-CH 100V 120A TO263

Vishay Siliconix

18,81000 zł