Name: NVR5124PLT1G
Brand: onsemi
SKU: NVR5124PLT1GOSTR-ND
Price: 3.2472 PLN
Availability: InStock

cms-photo-disclaimer

NVR5124PLT1G
cms-digikey-product-number	NVR5124PLT1GOSTR-ND - Taśma i szpula (TR) NVR5124PLT1GOSCT-ND - Taśma cięta (CT) NVR5124PLT1GOSDKR-ND - Digi-Reel®
cms-manufacturer	onsemi
cms-manufacturer-product-number	NVR5124PLT1G
cms-description	MOSFET P-CH 60V 1.1A SOT23-3
cms-standard-lead-time	17 tygodnie
cms-customer-reference
cms-detailed-description	Kanał P 60 V 1,1A (Ta) 470mW (Ta) Montaż powierzchniowy SOT-23-3 (TO-236)
Arkusz danych	Arkusz danych
cms-eda-cad-models	NVR5124PLT1G Modele

cms-product-attributes

cms-type	cms-description	cms-select-all
cms-category	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	onsemi
Seria	-
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał P
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	60 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	1,1A (Ta)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	4,5V, 10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	230mOhm przy 3A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	2,5V przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	4.3 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	240 pF @ 25 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	470mW (Ta)
Temperatura robocza	-55°C - 150°C (TJ)
Klasa	Motoryzacja
Kwalifikacja	AEC-Q101
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	SOT-23-3 (TO-236)
Obudowa / skrzynia	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Bazowy numer produktu	NVR5124

cms-product-q-and-a

cms-techforum-default-desc

W magazynie: 29 053

cms-incoming-leadtime-link

cms-quantity

cms-all-prices-in-currency

Taśma cięta (CT) & Digi-Reel®

* Do wszystkich zamówień Digi-Reel dodawana jest opłata 27,00 zł za przygotowanie szpuli.

Taśma i szpula (TR)