
SQJ204EP-T1_GE3 | |
|---|---|
Numer produktu DigiKey | SQJ204EP-T1_GE3TR-ND - Taśma i szpula (TR) SQJ204EP-T1_GE3CT-ND - Taśma cięta (CT) SQJ204EP-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Producent | |
Numer produktu producenta | SQJ204EP-T1_GE3 |
Opis | MOSFET 2N-CH 12V 20A PPAK SO8 |
Standardowy czas realizacji przez producenta | 23 tygodnie |
Numer referencyjny klienta | |
Szczegółowy opis | MOSFET - układy 12V 20A (Tc), 60A (Tc) 27W (Tc), 48W (Tc) Montaż powierzchniowy PowerPAK® SO-8 podwójny asymetryczny |
Arkusz danych | Arkusz danych |
Modele EDA/CAD | SQJ204EP-T1_GE3 Modele |
Kategoria | Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 20nC przy 10V, 50nC przy 10V |
Producent Vishay Siliconix | Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 1400pF przy 6V, 3700pF przy 6V |
Seria | Moc - maks. 27W (Tc), 48W (Tc) |
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel® | Temperatura robocza -55°C - 175°C (TJ) |
Status części Aktywny | Klasa Motoryzacja |
Technologia MOSFET (tlenek metalu) | Kwalifikacja AEC-Q101 |
Konfiguracja 2 kanały N (podwójne), asymetryczne | Typ mocowania Montaż powierzchniowy |
Napięcie dren-źródło (Vdss) 12V | Obudowa / skrzynia PowerPAK® SO-8 podwójny |
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 20A (Tc), 60A (Tc) | Obudowa dostawcy urządzenia PowerPAK® SO-8 podwójny asymetryczny |
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 8,3mOhm przy 4A, 10V, 3mOhm przy 10A, 10V | Bazowy numer produktu |
Vgs(th) (maks.) przy Id 1,5V przy 250µA |
| Ilość | Cena jednostkowa | Wartość |
|---|---|---|
| 1 | 7,79000 zł | 7,79 zł |
| 10 | 4,97700 zł | 49,77 zł |
| 100 | 3,36350 zł | 336,35 zł |
| 500 | 2,67278 zł | 1 336,39 zł |
| 1 000 | 2,45069 zł | 2 450,69 zł |
| Ilość | Cena jednostkowa | Wartość |
|---|---|---|
| 3 000 | 2,16876 zł | 6 506,28 zł |
| 6 000 | 2,02693 zł | 12 161,58 zł |
| 9 000 | 1,95469 zł | 17 592,21 zł |
| 15 000 | 1,92242 zł | 28 836,30 zł |
| Cena jednostkowa bez VAT: | 7,79000 zł |
|---|---|
| Cena jednostkowa z VAT: | 9,58170 zł |

