
SQJ202EP-T1_GE3 | |
|---|---|
Numer produktu DigiKey | 742-SQJ202EP-T1_GE3TR-ND - Taśma i szpula (TR) 742-SQJ202EP-T1_GE3CT-ND - Taśma cięta (CT) 742-SQJ202EP-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Producent | |
Numer produktu producenta | SQJ202EP-T1_GE3 |
Opis | MOSFET 2N-CH 12V 20A PPAK SO8 |
Standardowy czas realizacji przez producenta | 23 tygodnie |
Numer referencyjny klienta | |
Szczegółowy opis | MOSFET - układy 12V 20A, 60A 27W, 48W Montaż powierzchniowy PowerPAK® SO-8 podwójny asymetryczny |
Arkusz danych | Arkusz danych |
Modele EDA/CAD | SQJ202EP-T1_GE3 Modele |
Kategoria | Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 22nC przy 10V |
Producent Vishay Siliconix | Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 975pF przy 6V |
Seria | Moc - maks. 27W, 48W |
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel® | Temperatura robocza -55°C - 175°C (TJ) |
Status części Aktywny | Klasa Motoryzacja |
Technologia MOSFET (tlenek metalu) | Kwalifikacja AEC-Q101 |
Konfiguracja 2 kanały N (podwójne) | Typ mocowania Montaż powierzchniowy |
Napięcie dren-źródło (Vdss) 12V | Obudowa / skrzynia PowerPAK® SO-8 podwójny |
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 20A, 60A | Obudowa dostawcy urządzenia PowerPAK® SO-8 podwójny asymetryczny |
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 6,5mOhm przy 15A, 10V | Bazowy numer produktu |
Vgs(th) (maks.) przy Id 2V przy 250µA |
| Ilość | Cena jednostkowa | Wartość |
|---|---|---|
| 1 | 7,68000 zł | 7,68 zł |
| 10 | 4,91200 zł | 49,12 zł |
| 100 | 3,31860 zł | 331,86 zł |
| 500 | 2,63572 zł | 1 317,86 zł |
| 1 000 | 2,41607 zł | 2 416,07 zł |
| Ilość | Cena jednostkowa | Wartość |
|---|---|---|
| 3 000 | 2,13732 zł | 6 411,96 zł |
| 6 000 | 1,99706 zł | 11 982,36 zł |
| 9 000 | 1,92564 zł | 17 330,76 zł |
| 15 000 | 1,89011 zł | 28 351,65 zł |
| Cena jednostkowa bez VAT: | 7,68000 zł |
|---|---|
| Cena jednostkowa z VAT: | 9,44640 zł |

