Name: SQ4949EY-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SQ4949EY-T1_GE3TR-ND
Price: 10.4919 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

SQ4949EY-T1_GE3
Numer produktu DigiKey	SQ4949EY-T1_GE3TR-ND - Taśma i szpula (TR) SQ4949EY-T1_GE3CT-ND - Taśma cięta (CT) SQ4949EY-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Vishay Siliconix
Numer produktu producenta	SQ4949EY-T1_GE3
Opis	MOSFET 2P-CH 30V 7.5A 8SOIC
Standardowy czas realizacji przez producenta	22 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	MOSFET - układy 30V 7,5A (Tc) 3,3W Montaż powierzchniowy 8-SOIC
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Układy tranzystorów FET, MOSFET
Producent	Vishay Siliconix
Seria	TrenchFET®
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Konfiguracja	2 kanały P (podwójne)
Charakterystyka FET	-
Napięcie dren-źródło (Vdss)	30V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	7,5A (Tc)
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	35mOhm przy 5,9A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	2,5V przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	30nC przy 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	1020pF przy 25V
Moc - maks.	3,3W
Temperatura robocza	-55°C - 175°C (TJ)
Klasa	Motoryzacja
Kwalifikacja	AEC-Q101
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa / skrzynia	8-SOIC (szerokość 0,154", 3,90mm)
Obudowa dostawcy urządzenia	8-SOIC
Bazowy numer produktu	SQ4949