Name: SQ4940AEY-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SQ4940AEY-T1_GE3TR-ND
Price: 7.9458 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

SQ4940AEY-T1_GE3
Numer produktu DigiKey	SQ4940AEY-T1_GE3TR-ND - Taśma i szpula (TR) SQ4940AEY-T1_GE3CT-ND - Taśma cięta (CT) SQ4940AEY-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Vishay Siliconix
Numer produktu producenta	SQ4940AEY-T1_GE3
Opis	MOSFET 2N-CH 40V 8A 8SOIC
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	MOSFET - układy 40V 8A 4W Montaż powierzchniowy 8-SOIC
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Układy tranzystorów FET, MOSFET	Vgs(th) (maks.) przy Id 2,5V przy 250µA
Producent Vishay Siliconix	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 43nC przy 10V
Seria TrenchFET®	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 741pF przy 20V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Moc - maks. 4W
Status części Ostatnio kupiono	Temperatura robocza -55°C - 175°C (TJ)
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Klasa Motoryzacja
Konfiguracja 2 kanały N (podwójne)	Kwalifikacja AEC-Q101
Charakterystyka FET Bramka poziomu logicznego	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Napięcie dren-źródło (Vdss) 40V	Obudowa / skrzynia 8-SOIC (szerokość 0,154", 3,90mm)
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 8A	Obudowa dostawcy urządzenia 8-SOIC
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 24mOhm przy 5,3A, 10V	Bazowy numer produktu SQ4940

Zgłoś błąd informacji o produkcie

Dokumenty i media

Klasyfikacje eksportowe i środowiskowe

Dodatkowe zasoby

Zamienniki (2)

Numer katalogowy	Producent	Ilość dostępna	Numer produktu DigiKey	Cena jednostkowa	Rodzaj zamiennika
SQ4940AEY-T1_BE3	Vishay Siliconix	9 799	742-SQ4940AEY-T1_BE3CT-ND	6,54000 zł	Bezpośrednie
DMN4027SSD-13	Diodes Incorporated	2 171	31-DMN4027SSD-13CT-ND	5,53000 zł	Similar