Name: SQ4920EY-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SQ4920EY-T1_GE3TR-ND
Price: 11.2668 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

SQ4920EY-T1_GE3
Numer produktu DigiKey	SQ4920EY-T1_GE3TR-ND - Taśma i szpula (TR) SQ4920EY-T1_GE3CT-ND - Taśma cięta (CT) SQ4920EY-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Vishay Siliconix
Numer produktu producenta	SQ4920EY-T1_GE3
Opis	MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC
Standardowy czas realizacji przez producenta	23 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	MOSFET - układy 30V 8A 4,4W Montaż powierzchniowy 8-SOIC
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Układy tranzystorów FET, MOSFET	Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 14,5mOhm przy 6A, 10V
Producent Vishay Siliconix	Vgs(th) (maks.) przy Id 2,5V przy 250µA
Seria TrenchFET®	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 30nC przy 10V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 1465pF przy 15V
Status części Aktywny	Moc - maks. 4,4W
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Temperatura robocza -55°C - 175°C (TJ)
Konfiguracja 2 kanały N (podwójne)	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Charakterystyka FET Bramka poziomu logicznego	Obudowa / skrzynia 8-SOIC (szerokość 0,154", 3,90mm)
Napięcie dren-źródło (Vdss) 30V	Obudowa dostawcy urządzenia 8-SOIC
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 8A	Bazowy numer produktu SQ4920

Zgłoś błąd informacji o produkcie

Dokumenty i media

Klasyfikacje eksportowe i środowiskowe

Dodatkowe zasoby

W magazynie: 6 309

Sprawdź dodatkowe produkty wprowadzane do magazynu

Ilość

Wszystkie ceny podano w PLN

Taśma cięta (CT) & Digi-Reel®

* Do wszystkich zamówień Digi-Reel dodawana jest opłata 27,00 zł za przygotowanie szpuli.

Taśma i szpula (TR)

Opakowanie standardowe producenta

Cena jednostkowa bez VAT:	9,16000 zł
Cena jednostkowa z VAT:	11,26680 zł

SQ4920EY-T1_GE3