Name: SQ4005EY-T1_BE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SQ4005EY-T1_BE3TR-ND
Price: 6.888 PLN
Availability: OutOfStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

SQ4005EY-T1_BE3
Numer produktu DigiKey	742-SQ4005EY-T1_BE3TR-ND - Taśma i szpula (TR) 742-SQ4005EY-T1_BE3CT-ND - Taśma cięta (CT) 742-SQ4005EY-T1_BE3DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Vishay Siliconix
Numer produktu producenta	SQ4005EY-T1_BE3
Opis	MOSFET P-CHANNEL 12V 15A 8SOIC
Standardowy czas realizacji przez producenta	22 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał P 12 V 15A (Tc) 6W (Tc) Montaż powierzchniowy 8-SOIC
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Vishay Siliconix
Seria	TrenchFET®
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał P
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	12 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	15A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	2,5V, 4,5V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	22mOhm przy 13,5A, 4,5V
Vgs(th) (maks.) przy Id	1V przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	38 nC @ 4.5 V
Vgs (maks.)	±8V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	3600 pF @ 6 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	6W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 175°C (TJ)
Klasa	Motoryzacja
Kwalifikacja	AEC-Q101
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	8-SOIC
Obudowa / skrzynia	8-SOIC (szerokość 0,154", 3,90mm)
Bazowy numer produktu	SQ4005