Name: SQ3410EV-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SQ3410EV-T1_GE3TR-ND
Price: 5.3874 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

SQ3410EV-T1_GE3
Numer produktu DigiKey	SQ3410EV-T1_GE3TR-ND - Taśma i szpula (TR) SQ3410EV-T1_GE3CT-ND - Taśma cięta (CT) SQ3410EV-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Vishay Siliconix
Numer produktu producenta	SQ3410EV-T1_GE3
Opis	MOSFET N-CH 30V 8A 6TSOP
Standardowy czas realizacji przez producenta	23 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 30 V 8A (Tc) 5W (Tc) Montaż powierzchniowy 6-TSOP
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 21 nC @ 10 V
Prod. Vishay Siliconix	Vgs (maks.) ±20V
Seria TrenchFET®	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 1005 pF @ 15 V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Straty mocy (maks.) 5W (Tc)
Status części Aktywny	Temperatura robocza -55°C - 175°C (TJ)
Typ FET Kanał N	Klasa Motoryzacja
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Kwalifikacja AEC-Q101
Napięcie dren-źródło (Vdss) 30 V	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 8A (Tc)	Obudowa dostawcy urządzenia 6-TSOP
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 4,5V, 10V	Obudowa / skrzynia SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 17,5mOhm przy 5A, 10V	Bazowy numer produktu SQ3410
Vgs(th) (maks.) przy Id 2,5V przy 250µA

Zgłoś błąd informacji o produkcie

Dokumenty i media

Klasyfikacje eksportowe i środowiskowe

Dodatkowe zasoby

W magazynie: 6 432

Sprawdź dodatkowe produkty wprowadzane do magazynu

Ilość

Wszystkie ceny podano w PLN

Taśma cięta (CT) & Digi-Reel®

* Do wszystkich zamówień Digi-Reel dodawana jest opłata 27,00 zł za przygotowanie szpuli.

Taśma i szpula (TR)