Name: SQ1922AEEH-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SQ1922AEEH-T1_GE3TR-ND
Price: 3.444 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

SQ1922AEEH-T1_GE3
Numer produktu DigiKey	SQ1922AEEH-T1_GE3TR-ND - Taśma i szpula (TR) SQ1922AEEH-T1_GE3CT-ND - Taśma cięta (CT) SQ1922AEEH-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Vishay Siliconix
Numer produktu producenta	SQ1922AEEH-T1_GE3
Opis	MOSFET 2N-CH 20V 0.85A SC70-6
Standardowy czas realizacji przez producenta	23 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	MOSFET - układy 20V 850mA (Tc) 1,5W (Tc) Montaż powierzchniowy SC-70-6
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Układy tranzystorów FET, MOSFET	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 1,2nC przy 4,5V
Producent Vishay Siliconix	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 60pF przy 10V
Seria TrenchFET®	Moc - maks. 1,5W (Tc)
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Temperatura robocza -55°C - 175°C (TJ)
Status części Aktywny	Klasa Motoryzacja
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Kwalifikacja AEC-Q101
Konfiguracja 2 kanały N (podwójne)	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Napięcie dren-źródło (Vdss) 20V	Obudowa / skrzynia 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 850mA (Tc)	Obudowa dostawcy urządzenia SC-70-6
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 300mOhm przy 400mA, 4,5V	Bazowy numer produktu SQ1922
Vgs(th) (maks.) przy Id 2,5V przy 250µA

Zgłoś błąd informacji o produkcie

Dokumenty i media

Klasyfikacje eksportowe i środowiskowe

Dodatkowe zasoby

W magazynie: 117 088

Sprawdź dodatkowe produkty wprowadzane do magazynu

Ilość

Wszystkie ceny podano w PLN

Taśma cięta (CT) & Digi-Reel®

* Do wszystkich zamówień Digi-Reel dodawana jest opłata 27,00 zł za przygotowanie szpuli.

Taśma i szpula (TR)