Name: SQ1912EH-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SQ1912EH-T1_GE3TR-ND
Price: 2.706 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

SQ1912EH-T1_GE3
Numer produktu DigiKey	SQ1912EH-T1_GE3TR-ND - Taśma i szpula (TR) SQ1912EH-T1_GE3CT-ND - Taśma cięta (CT) SQ1912EH-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Vishay Siliconix
Numer produktu producenta	SQ1912EH-T1_GE3
Opis	MOSFET 2N-CH 20V 0.8A SC70-6
Standardowy czas realizacji przez producenta	22 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	MOSFET - układy 20V 800mA (Tc) 1,5W Montaż powierzchniowy SC-70-6
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	SQ1912EH-T1_GE3 Modele

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Układy tranzystorów FET, MOSFET
Producent	Vishay Siliconix
Seria	TrenchFET®
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Konfiguracja	2 kanały N (podwójne)
Charakterystyka FET	-
Napięcie dren-źródło (Vdss)	20V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	800mA (Tc)
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	280mOhm przy 1,2A, 4,5V
Vgs(th) (maks.) przy Id	1,5V przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	1,15nC przy 4,5V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	75pF przy 10V
Moc - maks.	1,5W
Temperatura robocza	-55°C - 175°C (TJ)
Klasa	Motoryzacja
Kwalifikacja	AEC-Q101
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa / skrzynia	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Obudowa dostawcy urządzenia	SC-70-6
Bazowy numer produktu	SQ1912

Product Questions and Answers

See what engineers are asking, ask your own questions, or help out a member of the DigiKey engineering community

W magazynie: 20 549

Sprawdź dodatkowe produkty wprowadzane do magazynu

Ilość

Wszystkie ceny podano w PLN

Taśma cięta (CT) & Digi-Reel®

* Do wszystkich zamówień Digi-Reel dodawana jest opłata 27,00 zł za przygotowanie szpuli.

Taśma i szpula (TR)