Name: SQ1563AEH-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SQ1563AEH-T1_GE3TR-ND
Price: 1.8573 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

SQ1563AEH-T1_GE3
Numer produktu DigiKey	SQ1563AEH-T1_GE3TR-ND - Taśma i szpula (TR) SQ1563AEH-T1_GE3CT-ND - Taśma cięta (CT) SQ1563AEH-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Vishay Siliconix
Numer produktu producenta	SQ1563AEH-T1_GE3
Opis	MOSFET N/P-CH 20V 0.85A PPAK8X8
Standardowy czas realizacji przez producenta	20 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	MOSFET - układy 20V 850mA (Tc) 1,5W Montaż powierzchniowy PowerPAK® SC-70-6 podwójny
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Układy tranzystorów FET, MOSFET	Vgs(th) (maks.) przy Id 1,5V przy 250µA
Producent Vishay Siliconix	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 1,25nC przy 4,5V, 1,33nC przy 4,5V
Seria TrenchFET®	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 89pF przy 10V, 84pF przy 10V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Moc - maks. 1,5W
Status części Aktywny	Temperatura robocza -55°C - 175°C (TJ)
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Konfiguracja Kanał N i P	Obudowa / skrzynia PowerPAK® SC-70-6 podwójny
Napięcie dren-źródło (Vdss) 20V	Obudowa dostawcy urządzenia PowerPAK® SC-70-6 podwójny
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 850mA (Tc)	Bazowy numer produktu SQ1563
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 280mOhm przy 850mA, 4,5V, 575mOhm przy 800mA, 4,5V

Zgłoś błąd informacji o produkcie

Dokumenty i media

Klasyfikacje eksportowe i środowiskowe

Dodatkowe zasoby

W magazynie: 10 662

Sprawdź dodatkowe produkty wprowadzane do magazynu

Ilość

Wszystkie ceny podano w PLN

Taśma cięta (CT) & Digi-Reel®

* Do wszystkich zamówień Digi-Reel dodawana jest opłata 27,00 zł za przygotowanie szpuli.

Taśma i szpula (TR)