SQ3419EV-T1_GE3 Vishay Siliconix | Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze

SQ3419EV-T1_GE3 jest przestarzałe i nie jest już produkowane.

Dostępne zamienniki:

MFR Recommended

Vishay Siliconix

W magazynie: 13 046

Cena jednostkowa : 3,05000 zł

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

SQ3419EV-T1_GE3
Numer produktu DigiKey	SQ3419EV-T1_GE3TR-ND - Taśma i szpula (TR) SQ3419EV-T1_GE3CT-ND - Taśma cięta (CT) SQ3419EV-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Vishay Siliconix
Numer produktu producenta	SQ3419EV-T1_GE3
Opis	MOSFET P-CH 40V 6.9A 6TSOP
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał P 40 V 6,9A (Tc) 5W (Tc) Montaż powierzchniowy 6-TSOP
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 11.3 nC @ 4.5 V
Prod. Vishay Siliconix	Vgs (maks.) ±20V
Seria TrenchFET®	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 990 pF @ 20 V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Straty mocy (maks.) 5W (Tc)
Status części Nieaktualne	Temperatura robocza -55°C - 175°C (TJ)
Typ FET Kanał P	Klasa Motoryzacja
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Kwalifikacja AEC-Q101
Napięcie dren-źródło (Vdss) 40 V	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 6,9A (Tc)	Obudowa dostawcy urządzenia 6-TSOP
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 4,5V, 10V	Obudowa / skrzynia SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 58mOhm przy 2,5A, 10V	Bazowy numer produktu SQ3419
Vgs(th) (maks.) przy Id 2,5V przy 250µA